d-Matrix 携手 NVIDIA 采用 NVLink Fusion，加速 Raptor XPU 向 AI 工厂部署
AI推论晶片制造商d-Matrix宣布采用NVIDIA的NVLink Fusion技术，用于加速其Raptor XPU向AI工厂部署。
全部时间线
2026-09-12
中国科学院半导体所研制出具有高隧穿电阻比的滑移铁电隧穿结
中国科学院半导体所研制出具有高隧穿电阻比的滑移铁电隧穿结。铁电隧穿结通过铁电极化翻转调控隧穿电流，以两端结构实现非易失写入与非破坏性电阻读出，面向高密度非易失存储与存内计算。此前高隧穿电阻比与高循环耐久性难以兼得。3R-MoS2和1T′-ReS2等二维滑移铁电体依靠层间相对滑移实现极化翻转，避免离子迁移与缺陷累积，循环抗疲劳能力超过1011次。
2026-09-11
82%!“全球最能赚的存储芯片厂”不在首尔，在合肥
存储行业强周期、高淘汰，长鑫产品线覆盖DDR5到LPDDR6，未来月产能预计突破30万片。越赚钱越砸技术，这才是接住行情的底气。
技术 | 英飞凌SP4T（单刀四掷）开关型天线调谐器在蜂窝移动终端中的应用
英飞凌SP4T（单刀四掷）开关型天线调谐器用于蜂窝移动终端。该通用型SP4T天线调谐器是目前手持类蜂窝移动终端中最常用的器件。
技术 | 充分释放GaN潜能：纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
纳芯微发布GaN驱动芯片，面向AI算力与人形机器人产业推动的电源系统高功率密度需求。原文称电源系统正朝更高功率、更高效率、更小体积方向迭代，氮化镓作为宽禁带代表性器件具备相应优势，该驱动芯片用于破解高功率密度应用难题。
产品 | 人形机器人MCU需求爆发，看复旦微FM33LD5xx系列如何支撑具身智能！
复旦微FM33LD5xx系列MCU面向人形机器人及具身智能应用，针对电机控制从单点驱动转向多轴协同的趋势。原文指出工程师面临主频不足、难以运行多电机算法以及ADC性能受限等痛点，该系列产品用于支撑具身智能场景下的电机控制需求。
日月光拟以3.34亿新台币向牧德科技采购AOI与AVI设备
ASE to buy AOI, AVI equipment from Machvision for NT$334M
日月光于2026年9月11日新闻发布会上宣布，其董事会已批准向牧德科技采购设备，包括自动光学检测（AOI）与自动视觉检测（AVI）系统，交易金额为新台币3.34亿元。该采购涉及半导体封测环节的检测设备，与元器件供应链的封测产能与设备供应相关。
东芯半导体亮相2026 深圳国际电子展，以存储“芯”势力，共赴产业之约！
东芯半导体携全线存储芯片产品及热门应用领域解决方案，亮相elexcon 2026第23届深圳国际电子展。展台按网络通信、安防监控、工业控制、物联网、消费电子、汽车电子六大应用区域划分，完整展示东芯全线存储产品。
MLCC产能大迁徙：村田弃了消费电子，押注AI算力关键事件
全球MLCC龙头村田制作所于2026年9月正式发布停产通知，消费级常规料号进入退场倒计时，产能全面倾斜AI服务器高容市场。此举被描述为被算力需求重新定义的产能迁徙，涉及消费电子用MLCC料号退出与AI服务器高容MLCC产能倾斜，关联MLCC元器件供应链的供给结构调整。
服务器CPU生产挤占PC产能，英特尔是否该“外包解困”？关键事件
AI推理与代理式AI推动服务器CPU需求爆发，英特尔自有晶圆厂优先保障高毛利数据中心订单，PC CPU产能受挤压，年内第三次涨价约10%，低毛利Small Core产品线或进入EOL。扩大台积电代工可缓解供应缺口但摊薄利润，18A良率爬升至85%，14A客户谈判将决定产能配置。
苹果C2攻克毫米波，削弱高通在iPhone基带上的最后一大优势
Apple cracks mmWave with C2, weakening Qualcomm's last big iPhone modem edge
苹果在iPhone 18 Pro中引入自研C2基带，美国规格列表显示其支持n258、n260和n261毫米波频段，这是苹果C系列基带首次支持毫米波。此举削弱了高通在iPhone基带供应上的最后一大优势。
订单超2000万颗，芯粤能第二代沟槽栅SiC MOSFET工艺平台实现规模化量产突破
2026年第三季度，芯粤能半导体推出第二代沟槽栅SiC MOSFET工艺平台（T2平台），订单超2000万颗，实现规模化量产突破。该平台可覆盖新能源汽车主驱、光伏储能、直流充电模块、IPM、电机驱动、电源等核心场景，助力客户打造高效、小型化、高可靠的功率系统。
苹果新芯片封装提升A20 Pro AI性能，推动联发科、高通跟进
Apple's new chip packaging boosts A20 Pro AI power, pushing MediaTek, Qualcomm to follow suit
苹果发布最新iPhone 18 Pro及首款2nm芯片A20 Pro。据苹果官方规格，A20 Pro采用六核CPU、七核GPU和两个16核神经引擎。新封装方案提升其AI性能，并促使联发科与高通跟进。
d-Matrix 将 Raptor 芯片引入 Nvidia 机架，token 价格下跌施压 GPU 经济性
d-Matrix brings Raptor chips to Nvidia racks as falling token prices pressure GPU economics
AI 芯片初创公司 d-Matrix 采用 Nvidia 的 NVLink Fusion 技术，将其下一代 Raptor 推理处理器直接集成进 Nvidia MGX 机架，从而获得部署路径。该消息涉及 d-Matrix 与 Nvidia 两家公司，产品为 Raptor 推理处理器与 MGX 机架，技术为 NVLink Fusion。原文未给出时间、地点与具体数字。与元器件供应链的关联在于：推理芯片与机架级集成方案的变化，可能影响 AI 服务器相关芯片与组件的需求结构。
iPhone双机领衔苹果新阵容，市场仍存分歧
iPhone Duo leads Apple's new lineup as market stays split
苹果发布最新iPhone产品线，其中新款可折叠iPhone最受关注，该发布可能重塑高端手机需求，但更大的问题在于苹果能否应对日益加剧的AI竞争，市场看法仍存分歧。
村田部分MLCC 拟2029年停产
MLCC巨擘村田向客户端发出停产通知（EOL），预告九个系列的部分规格将停产，范围涵盖消费性电子用的一般规格，并扩及车规、射频等应用，拟于2029年停产。
三星与SK海力士瞄准2028年High-NA DRAM量产
Samsung, SK Hynix eye 2028 High-NA DRAM rollout
据韩国消息，SK海力士计划于2028年将High-NA极紫外光刻技术应用于DRAM量产，并正考虑加入一项开发12英寸光掩模的行业倡议。三星同样关注2028年High-NA DRAM的推进。两家公司均为全球主要存储芯片厂商，此举涉及DRAM制造工艺与光掩模供应链环节。
台积电转型系统整合服务商，矽光子 COUPE 与 CPO 掀起 AI 光互连革命
台积电正由传统先进晶片制造转型为系统整合服务商，布局矽光子与CPO共同封装光学，以应对AI算力需求爆发及传统铜线传输的物理瓶颈。国内法人研究指出此一转型方向，涉及COUPE矽光子技术与CPO光互连，与AI光互连供应链相关。
2026-09-10
泰矽微发布TSP007车规级电容防夹专用芯片
9月10日，泰矽微发布TSP007车规级电容防夹专用芯片。该芯片面向汽车智能开闭件应用，可为电动车门、前备箱、电动尾门、车窗等开闭机构提供电容式主动防夹单芯片解决方案。
寒武纪Day 0 适配 DeepSeek V4.1 Flash
2026年9月10日，寒武纪基于 vLLM 推理框架完成对深度求索公司最新开源模型 DeepSeek V4.1 Flash 的 Day 0 适配。该成果依托寒武纪长期积累的自研 NeuWare 软件生态与芯片设计技术，也是其持续投入芯片与算法联合创新的延续。
村田将于明年量产面向AI芯片的iPaS
Murata to Mass-Produce iPaS for AI Chips Next Year
全球最大多层陶瓷电容器（MLCC）厂商村田（Murata）计划于明年开始量产其Integrated Package Solution（iPaS），这是一款面向人工智能芯片的电源基板。该产品属于元器件供应链中的电源相关产品，量产时间定在明年。
DeepSeek 发布 V4.1 Flash：一个「小」模型，凭什么超越自家旗舰？
DeepSeek 发布 V4.1 Flash 模型，该模型为小尺寸模型，据称性能超越自家旗舰模型。
村田将停产部分MLCC产线，AI服务器需求令供应承压关键事件
Murata to stop some MLCC lines as AI server demand strains supply
日本被动元件厂商Murata Manufacturing表示，由于AI需求持续对供应链造成压力，将逐步停止若干多层陶瓷电容器（MLCC）料号的生产。
产品 | Molex莫仕推出 MiniMix 混合电源和信号连接器，加速人形机器人量产规模扩展
Molex莫仕推出MiniMix混合电源和信号连接器，面向空间受限的人形机器人关节和驱动器，将15.0A电源与1Gbps 1000BASE-T1数据传输集成到5.65mm布局中，用于加速人形机器人量产规模扩展。
产品 | 泰矽微重磅发布TSP007车规级电容防夹专用芯片，赋能整车开闭件安全防护
国内高性能专用SoC芯片供应商泰矽微（Tinychip Micro）正式发布TSP007车规级电容防夹专用芯片，面向整车开闭件安全防护应用。该芯片为车规级专用芯片，用于电容防夹检测，属于汽车电子元器件新品，与汽车芯片供应链相关。
友达光电匹配玻璃基板尺寸引发与台积电合作猜测
AUO matching glass substrate size stokes TSMC collab speculation
友达光电（AUO）正加快转型，将其既有的大尺寸面板制造能力延伸至先进半导体封装领域，并匹配玻璃基板尺寸，此举引发外界对其与台积电（TSMC）合作的猜测。原文未披露具体时间、地点、料号及产能数字。该动向与元器件供应链的先进封装材料与基板环节相关。
苹果每部iPhone统一涨价100美元，并围绕内存重构A20 Pro关键事件
Apple added flat US$100 to every iPhone and rebuilt A20 Pro around memory
9月9日苹果发布会上发生两件事：苹果将所售每部iPhone的价格统一上调100美元；同时推出A20 Pro芯片，其核心改进围绕内存展开。原文未披露具体机型、涨价后售价、内存规格与容量等细节。
DB HiTek 完成 8 英寸 SiC MOSFET 工艺可靠性认证
DB HiTek completes reliability qualification for 8-inch SiC MOSFET process
DB HiTek 宣布已完成其 8 英寸晶圆上 1,200 V 碳化硅（SiC）MOSFET 工艺的可靠性认证。该工艺开发有望为下一代功率器件扩大代工产能。
SK Hynix 称 3D DRAM 将借鉴逻辑代工模式
SK Hynix says 3D DRAM will borrow from logic foundry playbook
SK Hynix 表示，3D DRAM 将借鉴逻辑代工的做法，这标志着其存储设计思路的转变，影响可能超出韩国。该公司正把逻辑代工技术用于 3D DRAM，推动存储与计算走向融合。原文未给出具体时间、地点、型号与量产数字。此举与元器件供应链的关联在于存储设计与代工工艺路线的变化。
中国抢先切入下一代SiC功率芯片周期
China gets an early shot at the next SiC power-chip cycle
Alkaidsemi（上海）技术公司推出一款1,200 V碳化硅超结MOSFET，该公司称其为全球首款SiC超结MOSFET产品。项目负责人Hao未在原文中提供更多细节。该产品属于功率半导体器件，与碳化硅功率芯片供应链相关。
三星电机玻璃基板推进放缓，台积电评估拖延
Samsung Electro-Mechanics' glass-substrate rollout slows as TSMC evaluation drags on
三星电机（Samsung Electro-Mechanics，Semco）向台积电提交的玻璃通孔（TGV）模块可靠性评估耗时超出预期，导致其玻璃基板量产推进放缓。该评估进度延后，使三星电机的玻璃基板上市时间表相应推迟。玻璃基板为先进封装用关键材料，此次延迟涉及三星电机与台积电两家公司。
CXMT的HBM3良率据称停滞在25%，TSV与堆叠难题暴露中国AI存储缺口
CXMT's HBM3 yield reportedly stalls at 25% as TSV and stacking challenges expose China's AI memory gap
中国领先的DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已开始HBM3试产，但据称初期良率仍停留在约25%。报道指出，TSV与堆叠工艺的挑战凸显中国在AI存储领域的差距。该事件涉及CXMT的HBM3产品试产进展与良率水平，与元器件供应链中的存储芯片环节相关。
三星与ASML将合作开发下一代芯片制造技术
Samsung, ASML to collaborate on next-gen chip manufacturing
三星与ASML宣布将深化在High NA EUV光刻及先进半导体制造技术上的合作。三星计划在其未来的DRAM产线中引入ASML的High NA EUV光刻设备。双方未披露具体投资金额、时间表或产能目标。该合作涉及先进光刻设备与存储芯片制造环节。
思特威推出业内首款集成SerDes与片上ISP 300万像素车载CMOS图像传感器新品
思特威（SmartSens，股票代码688213）正式推出3MP高性能车规级图像传感器升级新品SC365AT，为业内首款集成SerDes与片上ISP的300万像素车载CMOS图像传感器。
芝奇推出Trident Z5 Royal NeoX皇家戟X系列DDR5内存支持最新AMD EXPO™ULL细参数优化超频技术
芝奇推出Trident Z5 Royal NeoX皇家戟X系列DDR5内存，支持最新AMD EXPO ULL细参数优化超频技术。本次推出规格皆为32GB(16GBx2)容量套装，涵盖DDR5-6000 CL26、CL28、CL30及CL36等多款低延迟规格。该系列提供低延迟性能，面向AMD平台超频应用。
High NA EUV》台积电联手 ASML 开发 12 吋光罩，解决 High NA EUV 曝光减半瓶颈
台积电与ASML合作开发12吋光罩，以解决High NA EUV曝光减半的瓶颈，旨在支持AI产业中面积最大的晶片制造。此举涉及新一代微影设备的技术变革，对半导体先进制程及相关供应链具有重要意义。
High NA EUV》台积电 2030 年起导入 High-NA EUV 技术，A10 制程预期成首发受瞩目
台积电计划自2030年起导入High-NA EUV技术，用于A10制程，该制程预期成为首发应用。目前台积电尚未公开评论具体细节，但业界关注其对先进制程的影响。
2026-09-09
企业 | 村田亮相CIOE 2026：以先进电子技术赋能AI数据中心光互连
村田制作所于2026年9月9日在中国深圳参加第27届中国国际光电博览会，展示多款创新产品与前沿解决方案，重点赋能AI数据中心光互连。村田作为综合电子元器件制造商，其展示的元器件产品与AI数据中心光互连相关，可能涉及高速光模块、连接器等，对供应链有潜在影响。
LG Innotek推进嵌入式基板与硅电容技术
LG Innotek Advances Embedded Substrates With Silicon Capacitors
LG Innotek推出用于AI芯片的嵌入式FC-BGA基板，将硅电容集成于封装基板内部。该公司还计划进一步开发相关技术。
Inoplaztech拟建年产100吨碳纳米管导电添加剂产能
Inoplaztech to Build 100-Ton Annual CNT Conductive Additive Capacity
Inoplaztech计划将其碳纳米管导电添加剂的年产能扩大至100吨。传统液态分散形式的CNT添加剂难以用于干法工艺。
DB HiTek 8英寸SiC代工业务接近量产
DB HiTek Nears Mass Production of 8-Inch SiC Foundry
DB HiTek于9月9日宣布，已完成其8英寸碳化硅（SiC）晶圆代工业务的可靠性验证，接近量产。该公司正为8英寸SiC代工业务的大规模生产做最后准备。
三星与ASML将把High-NA EUV引入DRAM制造
Samsung, ASML to Bring High-NA EUV to DRAM Manufacturing
三星电子计划率先引入荷兰半导体设备制造商ASML的高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻设备，用于DRAM制造。该设备型号为EXE:5000，预计2025年交付。此举旨在提升DRAM制程精度，巩固其存储芯片竞争力。
显存砍三分之一、带宽不降反升：英伟达Rubin Ultra改换HBM的精算哲学
英伟达下一代Rubin Ultra拟将HBM由12层改为8层，单卡显存从288GB降至192GB，总带宽不降，单位容量带宽反升约五成。在存储涨价、HBM供应紧张的背景下，其供应与产能承诺已增至2790亿美元。
涨价 | 英特尔CPU或将再度涨价？
有媒体引述供应链人士消息称，英特尔PC CPU预计于2026年10月5日再度涨价10%，同时毛利率偏低的小核产品线或将启动停产退市。
AI PC高性能存储新选择 | 德明利TE5480/TE5440系列PCIe Gen5 SSD
德明利推出TE5480/TE5440系列PCIe Gen5 SSD，面向AI PC高性能存储需求。该系列产品支持本地运行AI模型，应对模型文件与知识库带来的数据增长，提供高容量与高带宽存储解决方案。
兆易创新三大产品线亮相2026光博会，共筑算力光联基座
兆易创新宣布将携MCU、Flash、模拟三大产品线的光模块解决方案，出席9月9日至11日在深圳国际会展中心举办的第27届中国国际光电博览会。此举旨在展示其产品在光模块领域的应用，强化算力光联基座，与元器件供应链相关。
小巧、轻便、高效，安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能
安森美推出垂直GaN功率器件，该器件采用垂直结构，电流从芯片顶部流到底部，相比传统横向GaN器件具有更小尺寸、更轻重量和更高效率，为功率器件应用提供更多可能性。
瑞昱以ASIC和SSD芯片扩大云端AI布局
Realtek expands cloud AI push with ASIC and SSD chips
瑞昱董事长邱顺建本周获台湾工业技术研究院（ITRI）荣誉会士，他在公开采访中表示，公司已在进行云端AI相关ASIC和SSD芯片的研发，以扩大在该领域的布局。
传英伟达Rubin Ultra芯片改用8层HBM，以控制内存成本
据SemiAnalysis分析，英伟达正将Rubin Ultra AI加速器的HBM堆叠层数从12层下调至8层，以控制内存成本。8层HBM4配置下单GPU容量为192GB，而12层Rubin为288GB。
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美芯晟推出长距离DTOF激光雷达接收SoC芯片MT3806，面向扫地机器人、割草机器人、泳池机器人及服务机器人等应用，提升空间感知能力，应对低反射或强反射目标。