中国科学院半导体所研制出具有高隧穿电阻比的滑移铁电隧穿结

中国科学院半导体所研制出具有高隧穿电阻比的滑移铁电隧穿结。铁电隧穿结通过铁电极化翻转调控隧穿电流，以两端结构实现非易失写入与非破坏性电阻读出，面向高密度非易失存储与存内计算。此前高隧穿电阻比与高循环耐久性难以兼得。3R-MoS2和1T′-ReS2等二维滑移铁电体依靠层间相对滑移实现极化翻转，避免离子迁移与缺陷累积，循环抗疲劳能力超过1011次。