小巧、轻便、高效,安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能
中文摘要
安森美推出垂直GaN功率器件,该器件采用垂直结构,电流从芯片顶部流到底部,相比传统横向GaN器件具有更小尺寸、更轻重量和更高效率,为功率器件应用提供更多可能性。
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安森美推出垂直GaN功率器件,该器件采用垂直结构,电流从芯片顶部流到底部,相比传统横向GaN器件具有更小尺寸、更轻重量和更高效率,为功率器件应用提供更多可能性。
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