三星与SK海力士瞄准2028年High-NA DRAM量产
Samsung, SK Hynix eye 2028 High-NA DRAM rollout
中文摘要
据韩国消息，SK海力士计划于2028年将High-NA极紫外光刻技术应用于DRAM量产，并正考虑加入一项开发12英寸光掩模的行业倡议。三星同样关注2028年High-NA DRAM的推进。两家公司均为全球主要存储芯片厂商，此举涉及DRAM制造工艺与光掩模供应链环节。
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