订单超2000万颗，芯粤能第二代沟槽栅SiC MOSFET工艺平台实现规模化量产突破

2026年第三季度，芯粤能半导体推出第二代沟槽栅SiC MOSFET工艺平台（T2平台），订单超2000万颗，实现规模化量产突破。该平台可覆盖新能源汽车主驱、光伏储能、直流充电模块、IPM、电机驱动、电源等核心场景，助力客户打造高效、小型化、高可靠的功率系统。