DB HiTek 完成 8 英寸 SiC MOSFET 工艺可靠性认证
DB HiTek completes reliability qualification for 8-inch SiC MOSFET process
中文摘要
DB HiTek 宣布已完成其 8 英寸晶圆上 1,200 V 碳化硅（SiC）MOSFET 工艺的可靠性认证。该工艺开发有望为下一代功率器件扩大代工产能。
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