据报道，惠普、华硕和宏碁转向长鑫存储采购笔记本电脑内存
HP, Asus and Acer reportedly turn to CXMT for laptop memory
据日经亚洲报道，惠普、华硕和宏碁已开始在部分美国以外销售的廉价笔记本电脑中使用中国长鑫存储（CXMT）的DRAM，但使用量有限。此举表明中国存储供应商在PC内存市场取得进展，可能影响全球DRAM供应格局。
全部时间线
2026-08-04
Eugene Technology完成用于亚10纳米DRAM的TiN ALD设备开发
Eugene Technology Completes Development of TiN ALD Tool for Sub-10nm DRAM
Eugene Technology已完成用于亚10纳米DRAM制造的氮化钛原子层沉积设备的开发，并准备商业化。该设备用于DRAM制造中的TiN沉积，面向先进制程。
群电预期 AI 电源明年量产，美系通讯新品第四季放量
群光电能持续布局AI电源市场，多项AI及传统伺服器电源新品已进入送样及测试阶段，预计明年量产。美系通讯新品预计第四季放量。
总投资18亿元，大彩光电西部超级工厂在乐山正式投产
8月1日，浙江大彩光电西部超级工厂在乐山市市中区正式投产，系大彩（乐山）西南半导体新型显示制造基地一期项目，总投资18亿元，从签约到投产仅用5个月，填补西南地区高端显示产品自产空白。
SK 海力士宣布携手 Sandisk 宣布 HBF 首个标准规范
SK海力士与Sandisk联合发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。该规范旨在定义HBF接口标准，以支持AI等高性能计算应用对存储带宽的需求。此举有望推动HBF技术生态发展，对存储芯片供应链产生潜在影响。
IPO 成功获得资金，长鑫存储预定北京兴建第二座 12 吋 DRAM 晶圆厂
长鑫存储（CXMT）IPO成功获得资金，计划在北京兴建第二座12吋DRAM晶圆厂。此扩产计划将增加DRAM产能，影响存储晶片供应。
内存短缺之际，惠普、华硕和宏碁开始采用长鑫存储芯片关键事件
在AI基础设施需求引发的内存短缺背景下，惠普、华硕和宏碁等主要PC厂商已开始少量采用长鑫存储的DRAM芯片。此举涉及PC厂商对国产存储芯片的导入，与元器件供应链中PC OEM的采购策略调整相关。
继DeepSeek之后，英特尔中国为MiniMax H3提供Day 0支持
Intel China adds day 0 support for MiniMax H3 after DeepSeek
英特尔中国已完成对MiniMax H3的Day 0适配，这是中国AI初创公司MiniMax最新发布的多模态生成模型。此前，英特尔中国已为DeepSeek模型系列提供支持。此举表明英特尔正积极适配中国AI模型，以扩大其芯片在AI推理市场的应用。
消息称长鑫存储考虑在北京建设第二座DRAM晶圆厂，中国城市竞相争夺存储芯片投资
CXMT reportedly weighs second Beijing DRAM fab as Chinese cities compete for memory chip investment
中国领先的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）正考虑在北京亦庄建设第二座12英寸存储芯片晶圆厂，并处于早期融资阶段。此举引发中国多个城市竞相争夺存储芯片投资。该计划若实施，将扩大CXMT的产能，影响DRAM市场供应格局。
传长鑫存储将在北京建第二座12英寸DRAM晶圆厂
8月3日消息，业内消息显示，中国最大DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT）计划在北京兴建第二座12英寸DRAM晶圆厂。该扩产计划旨在应对AI基础设施建设对DRAM芯片日益增长的市场需求，并提升其全球市场地位。
MaxLinear推出‘Panther’AI数据压缩加速器以解决内存瓶颈
MaxLinear Unveils ‘Panther’ AI Data Compression Accelerator to Tackle Memory Bottlenecks
美国半导体公司MaxLinear推出名为Panther的硬件加速器，用于压缩AI数据，提高内存和存储资源利用率。该产品旨在解决AI工作负载中的内存瓶颈问题。
YEST出货首台125片高压氢气退火系统
YEST Ships First 125-Wafer High-Pressure Hydrogen Annealing System
YEST于8月3日宣布，已首次出货配备125片晶圆腔室的高压氢气退火（HPA）系统。HPA设备用于修复半导体硅片表面缺陷。
闪迪与SK海力士发布HBF规范，推进AI内存标准
Sandisk and SK Hynix release HBF spec to advance AI memory standard
闪迪与SK海力士通过开放计算项目发布了高带宽闪存（HBF）技术规范，旨在推动AI内存标准发展。该规范可能影响全球未来AI基础设施的构建。此举涉及两家存储芯片厂商，与AI服务器及存储供应链相关。
SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范
2026年8月4日，SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。该规范针对下一代存储技术，旨在提升存储带宽与性能。此举将影响存储芯片供应链，相关产品与标准或推动新应用落地。
澜起科技推出CXL 3.2内存扩展控制器，获三星、SK海力士支持
Montage brings CXL 3.2 memory expansion to AI data centres with Samsung, SK Hynix support
澜起科技宣布其业界首款CXL 3.2内存扩展控制器已开始试产，该产品面向AI和云数据中心日益增长的内存容量与池化需求。三星和SK海力士表示支持。此控制器有望提升内存扩展效率，对服务器内存供应链产生影响。
SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范 在FMS 2026展示面向AI的存储解决方案
SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）首个标准规范，定义8层和16层NAND堆叠配置，最高支持512GB容量，带宽覆盖0.4TB/s至3.0TB/s，采用UCIe互联接口。该技术面向AI存储解决方案，在FMS 2026上展示。
长鑫存储拟在北京建设第二座12英寸晶圆厂，推进DRAM产能扩张
中国存储芯片厂商长鑫存储拟在北京亦庄建设第二座12英寸DRAM晶圆厂，以推进产能扩张。公司已与科技制造产业平台展开融资洽谈，项目仍处于早期讨论阶段。
英特尔先进制程进化 成本比台积电CoWoS低50%
英特尔EMIB-T先进封装技术良率已突破九成，预计明年量产，成本仅为台积电CoWoS的一半，已拿下联发科订单，博通、Meta等也在评估采用。
瑞萨通过MRDIMM更新解决内存瓶颈
Renesas Tackles Memory Bottleneck with MRDIMM Update
瑞萨推出第三代DDR5 MRDIMM，带宽达16,000 MT/s，旨在解决AI内存瓶颈，无需平台大改。该产品面向AI应用，与元器件供应链相关。
2026-08-03
LPDDR6的竞速：中韩存储站在同一条量产起跑线！
长鑫存储直接切入LPDDR6新一代标准周期，与韩国存储厂商站在同一条量产起跑线，将过去数年的代差压缩为数月时间差。此前LPDDR4至LPDDR5X四代移动内存的首发权、工艺标准及高端客户订单长期由韩国双雄与美光掌握，国产DRAM始终慢一代追赶。LPDDR6竞速关乎端侧AI话语权、定价权与生态卡位。
华丰科技：高速背板连接器等产品需求旺盛 头部AI服务器项目将逐步批量交付关键事件
华丰科技8月3日在投资者互动平台表示，高速背板连接器等产品需求旺盛，产能利用率较高。头部国产AI服务器核心项目产品将于今年四季度至明年起逐步批量交付。公司预计AI相关业务2025年营收占比近30%。截至发稿，公司市值595.43亿元，股价较前一日跌7.79%。
英特尔提供奖金以加快俄亥俄州晶圆厂建设，EMIB-T良率达90%
Intel offers bonuses to speed up Ohio fab construction and reaches EMIB-T yields of 90%
英特尔为加班工作提供奖金，以加快俄亥俄州晶圆厂综合体建设，目标2031年完工。同时，公司在下一代EMIB-T封装技术上取得进展，良率达到90%。
SK海力士LPDDR6下半年量产，小米旗舰有望首发
SK海力士计划于2026年下半年启动LPDDR6量产出货，小米旗舰有望首发。该公司已于今年3月获得全球首个产品开发认证，目前正进行产线调试与工艺优化，为大规模量产做准备。
长鑫存储接近LPDDR6量产，挑战三星、SK海力士
CXMT closes in on LPDDR6 mass production, challenging Samsung, SK Hynix
长鑫存储（CXMT）接近完成LPDDR6研发验证，即将量产下一代移动DRAM，与三星电子、SK海力士竞争加剧。
英特尔加速推进俄亥俄州晶圆厂建设 EMIB-T先进封装良率接近90%
英特尔加速推进俄亥俄州约1000英亩晶圆厂园区建设，目标2031年前实现14A工艺大规模量产。同时，EMIB-T先进封装良率已接近90%，成本约为台积电CoWoS方案的50%，计划2027年实现规模化供应。
英特尔重金拼俄亥俄州建厂进度，EMIB-T 先进封装良率达 90% 剑指台积电
英特尔正加速俄亥俄州占地1000英亩的工厂建设，以支持18A与14A先进制程节点。其EMIB-T先进封装良率已达90%，目标直指台积电。
英特尔EMIB良率达标，联发科瞄准2028年ASIC量产
Intel EMIB yields hit target, MediaTek eyes 2028 ASIC ramp
联发科在最新财报电话会议上表示，其第二代数据中心ASIC产品仍按计划于2028年量产，并称英特尔嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）良率已达标。该产品用于数据中心，与半导体供应链相关。
三星氮化镓传闻受挫威胁代工启动，正竞相弥补可靠性差距
Samsung's GaN rumored setbacks threaten foundry launch, leaving it racing to close reliability gap
三星电子的氮化镓（GaN）代工项目据报再次受挫，高温可靠性失效可能将量产推迟至2027年。该延误恐影响其代工业务竞争力，并可能加剧GaN功率器件供应紧张，对依赖该技术的电源管理芯片供应链构成风险。
每周新闻综述：英特尔复兴DDR4，三星挑战台积电2nm，高通提高芯片价格关键事件
Weekly news roundup: Intel revives DDR4, Samsung challenges TSMC at 2nm, Qualcomm raises chip prices
本周科技行业受AI驱动的芯片短缺、内存成本上升及代工竞争加剧主导。英特尔复兴DDR4平台，高通提高芯片价格，三星在2nm工艺上挑战台积电。
2026-08-02
联发科首度确认ASIC项目采用英特尔EMIB-T封装
联发科在业绩说明会上首次确认其ASIC项目采用英特尔EMIB-T先进封装技术，较4月底的模糊口径更具体。此前CEO蔡力行仅透露同时投资两套封装方案，称第二种方案技术效果不错。
Q2 获利大爆发！联电转型 AI 供应链浮出水面，矽光子成未来三年成长最强引擎
联电宣布首批12吋矽光子量产晶圆交付新加坡客户，AI布局浮出台面。矽光子被视为未来三年成长最强引擎，Q2获利大幅成长。
长鑫存储LPDDR6完成研发验证，速率高达12.8Gbps
8月1日消息，据外媒Wccftech报道，中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）在LPDDR6研发上取得关键突破，已接近研发验证尾声，距离量产一步之遥。此举标志国产DRAM技术从跟跑到领跑，有望在全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光主导的格局中撕开缺口。
英特尔俄亥俄州晶圆厂建设提速，EMIB-T封装良率接近90%
英特尔正加速建设俄亥俄州晶圆厂，目标2031年投产，并发放高额加班奖金。其EMIB-T先进封装技术良率接近90%，仅剩基板良率待解决，计划2027年批量推出，与台积电CoWoS-L竞争。
2026-08-01
长鑫存储LPDDR6研发验证进入尾声 国产高端存储芯片量产在即
长鑫存储自主研发的LPDDR6芯片已接近研发验证尾声，距离首发量产更近一步。该芯片为国产高端存储芯片，有望打破海外巨头长期主导高端存储芯片市场的格局。
TrendForce：英伟达与博通开始量产CPO交换机，光学引擎良率与先进封装产能成为扩产关键瓶颈
NVIDIA and Broadcom Begin Volume Ramp of CPO Switches, with Optical Engine Yield and Advanced Packaging Capacity Emerging as Key Expansion Bottlenecks, Says TrendForce
TrendForce最新研究显示，英伟达已开始向特定合作伙伴出货下一代Spectrum-X CPO交换机，博通也在推进相关产品。光学引擎良率与先进封装产能成为扩产关键瓶颈。
研究洞察：长鑫存储以44亿美元IPO实现7.67% DRAM市场份额，公布2028年技术路线图
Research Insight: CXMT reaches 7.67% DRAM share with US$4.4B IPO, 2028 tech roadmap
据DIGITIMES Research，长鑫存储（CXMT）IPO募资44亿美元，DRAM市场份额达7.67%。此举标志着中国DRAM战略从产能建设转向主流产品、工艺升级和全球竞争。公司公布2028年技术路线图。
EyeQ Lab在韩国首座8英寸SiC功率晶圆厂实现90%良率
EyeQ Lab Clears 90% Yield in Korea's First 8-Inch SiC Power Fab
功率半导体专业公司EyeQ Lab已完成其专用8英寸（200毫米）碳化硅（SiC）功率半导体产线的量产准备。行业消息人士于7月23日透露，该产线良率已达90%。
英伟达开始出货Vera Rubin系统以最大化AI数据中心性能
NVIDIA Begins Shipping Vera Rubin Systems to Maximize AI Data Center Performance
英伟达已开始出货其下一代AI平台Vera Rubin。据彭博等媒体7月21日报道，英伟达已向谷歌云交付Vera Rubin NVL72机架。
三星推出全球首款低功耗内存PIM解决方案
Samsung Debuts World-First PIM Solution for Low-Power Memory
三星电子宣布推出全球首款将计算能力直接嵌入低功耗内存的AI推理技术，即PIM解决方案。该技术旨在加速向低功耗内存的转变，并有望提升AI推理效率。此产品涉及半导体存储与计算融合领域，对元器件供应链中低功耗内存及AI芯片市场具有潜在影响。
三星、SK海力士和美光加快HBM4良率竞赛
Samsung, SK Hynix and Micron Step Up HBM4 Yield Race
三星电子、SK海力士和美光正加大力度提升HBM4（最新一代高带宽存储器）的良率。此前，传统DRAM的价格涨幅在经历一段时间后开始放缓。
三星氮化镓代工项目试产出现可靠性问题，量产再遇新延迟
Samsung's GaN Foundry Ramp Faces Fresh Delay After Reliability Issues Emerge in Trial Production
三星电子的下一代氮化镓功率半导体代工项目在试产中遭遇可靠性问题，引发商业量产可能推迟的担忧。该项目原计划于2025年在美国得克萨斯州泰勒市工厂启动8英寸GaN晶圆生产，但此次问题可能导致量产时间进一步延后。
2026-07-31
西门子与英伟达推进自验证智能体AI工作流
Siemens, Nvidia advance self-verifying agentic AI workflows
西门子与英伟达合作，在西门子近期推出的Fuse EDA AI Agent系统基础上，新增英伟达AI技术，以帮助长时间运行、领域限定的AI智能体进行推理、行动并持续验证。
总投资3亿元，德建联半导体先进封装真空镀膜设备项目签约落户苏州
7月30日，德建联半导体先进封装真空镀膜设备项目签约仪式在苏州市吴中区举行。该项目由德建联半导体有限公司投资建设，计划总投资3亿元，将在吴中经开区建设半导体先进封装真空镀膜设备项目，主要生产先进封装制程所需的TGV、EMI与RDL溅镀装备。
铠侠开始出货第九代NAND闪存样品，性能提升超30%
日本芯片制造商铠侠宣布已开始出货第九代NAND闪存芯片样品，性能较上一代提升超30%，目标明年在日本三重县四日市工厂量产。同日，铠侠还宣布开发出使用第十代芯片、读取速度达前代8倍以上的AI服务器固态硬盘。
澜起科技率先试产CXL3.2内存扩展控制器芯片
澜起科技近日宣布启动CXL3.2规格MXC内存扩展控制器芯片的试产，为行业内首批落地试产阶段的CXL3.2标准内存控制类芯片。该产品面向AI算力集群、云计算平台、大型数据中心，用于内存扩容和全域内存资源池化。
德明利：二季度业绩受多重因素影响，AI存储行业景气上行将推动高质量增长
德明利在投资者互动平台回应二季度净利润率下降，称受业务结构、费用计提等多重因素影响。公司作为存储核心厂商，2026年推出自研企业级eSSD主控芯片，上半年业绩大幅增长，并加大研发产能投入。截至发稿，公司市值917亿元，股价上涨3.64%。
重新定义苹果外接存储 aigo PL系列登陆ChinaJoy现场首发
aigo PL系列外接存储于ChinaJoy现场首发，包括PL10高速闪存盘和PL50高速移动固态硬盘，已完成认证并通过检测标准。产品可改善iCloud使用痛点，支持4K原始视频无损传输，预计今年8月登陆各大电商平台开售。
Zen 6 终于亮相，AMD 2027 年就靠它了？
AMD 公布首颗搭载 Zen 6 架构的服务器 CPU EPYC，该产品计划于 2027 年推出。此消息对 AMD 的服务器产品线具有重要影响，但具体型号、性能参数及量产时间等细节尚未披露。
LG显示将投资3万亿韩元用于下一代OLED 技术研发和生产
LG显示于7月30日宣布，计划投资3万亿韩元用于下一代OLED技术研发和生产基础设施建设，并入选韩国国家增长基金第二轮大型项目“OLED技术领先”计划的资助对象。
澜起科技业界率先试产CXL 3.2内存扩展控制器芯片
澜起科技宣布率先试产CXL 3.2内存扩展控制器芯片，面向人工智能、云计算、数据中心等场景的内存扩展与资源池化需求。该芯片为新型内存接口控制器，属于半导体元器件新产品，对服务器内存扩展供应链具有潜在影响。