CXMT的HBM3良率据称停滞在25%，TSV与堆叠难题暴露中国AI存储缺口
CXMT's HBM3 yield reportedly stalls at 25% as TSV and stacking challenges expose China's AI memory gap
中文摘要
中国领先的DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已开始HBM3试产，但据称初期良率仍停留在约25%。报道指出，TSV与堆叠工艺的挑战凸显中国在AI存储领域的差距。该事件涉及CXMT的HBM3产品试产进展与良率水平，与元器件供应链中的存储芯片环节相关。
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