台积电推迟CoWoS订单，CoPoS计划成形
TSMC delays CoWoS orders as CoPoS plans take shape
台积电据报道推迟2027年先进封装设备订单，引发市场对其认为CoWoS产能过剩的猜测。设备供应商表示CoWoS需求仍强劲，但订单延迟已发生。CoPoS计划正在推进，可能影响未来封装产能布局。
全部时间线
2026-09-01
PCIM Asia 2026：CSP、六合一MOSFET、隔离驱动IC齐亮相，威兆半导体继续向系统级解决方案商迈进
PCIM Asia 2026于8月26日至28日在深圳国际会展中心（宝安）举行。威兆半导体展出CSP MOSFET、顶部散热MOSFET、多合一MOSFET及隔离驱动IC等产品，继续向系统级解决方案商迈进。
XCENA与三星合作开发机架级CXL内存；在英特尔至强6上演示
XCENA teams up with Samsung on rack-scale CXL memory; demos on Intel Xeon 6
韩国芯片初创公司XCENA在Hot Chips 2026上展示了其MX1计算内存设备的实测结果，并与三星合作开发机架级CXL内存，在英特尔至强6平台上进行了演示。该合作涉及CXL内存技术，与服务器计算相关，可能影响内存供应链。
评论：长鑫存储HBM3E突破为中国AI芯片制造商开辟新路径
Commentary: CXMT's HBM3E leap gives China's AI chipmakers a new path to scale
中国领先的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）据报道已开始小批量生产HBM3E，此举可能缓解中国本土AI芯片行业最重要的硬件限制之一。美国出口管制限制了中国获取先进存储芯片的渠道，CXMT的进展为国内AI芯片提供了替代供应来源。
未上市先卖光！辉达 RTX Spark 掀抢购潮，华硕、微星急向辉达追单
辉达与联发科合作开发的RTX Spark平台，尚未正式上市即在笔电市场引发抢购潮。华硕、微星等厂商紧急向辉达追加订单，以应对市场需求。该平台涉及新产品发布，其热销带动相关元器件需求，与供应链关联密切。
英伟达以定制NVHBM瞄准HBM竞赛，扩展NVLink Fusion
Nvidia targets HBM race with custom NVHBM, expands NVLink Fusion
英伟达推出定制NVHBM，旨在HBM竞赛中占据优势，并扩展NVLink Fusion技术。此举针对万亿参数大语言模型及智能体AI的普及，AI基础设施瓶颈正从原始算力转向计算、存储等系统级集成。
矽力杰数据中心业务激增，新产品放量
Silergy data center business surges as new products scale up
矽力杰在近期财报电话会上表示，2026年第二季度，除计算产品线外，其大部分应用业务环比增长超过20%。汽车业务表现强劲，数据中心业务因新产品放量而大幅增长。
三星据称为英伟达NVHBM平台开发8层HBM4E
Samsung is said to develop 8-layer HBM4E for Nvidia's NVHBM push
三星电子据称正在为英伟达开发8层第七代高带宽存储器HBM4E，以满足英伟达定制NVHBM平台的要求。该消息来自行业报道，表明三星正积极跟进英伟达对高带宽存储器的需求，以在AI芯片供应链中保持竞争力。
中国特色代工厂XMC计划围绕3D集成和硅光子学实现四倍产能增长
China specialty foundry XMC plans fourfold capacity growth around 3D integration, silicon photonics
武汉新芯半导体制造有限公司（XMC）制定了十年扩张战略，聚焦3D集成、硅光子（SiPh）及特色工艺，目标产能增长四倍。该计划涉及产能扩张，与半导体供应链相关。
美媒：中国长鑫存储已开始试产HBM3E，可能数周内大规模量产
据The Information报道，长鑫存储（CXMT）已启动HBM3E存储器风险试产，预计到今年底DRAM产能达每月35万片晶圆。考虑到其此前从风险试产快速过渡到量产的能力，HBM3E可能在数周内进入大规模量产阶段。
应用材料公司力推3D缩放技术，为HBM和CPO开发新材料
Applied Materials Touts 3D Scaling Technologies, Develops New Materials for HBM and CPO
应用材料公司已完成下一代三维半导体缩放所需四项关键技术的准备工作，并正加速相关人力和基础设施建设。该公司为高带宽存储器（HBM）和共封装光学（CPO）开发新材料，以支持先进封装和异构集成。此举与半导体供应链中先进封装产能及材料供应相关。
2026-08-31
台积电揭 COUPE 蓝图：光源、调变器、SOA 全整合，进一步挑战「光学中介层」
台积电副专案处长陈明发在SEMICON Taiwan 2026矽光子国际论坛揭露COUPE蓝图，计划整合光源、调变器、SOA於单一封装，并挑战光学中介层技术。此举旨在推进矽光子发展，与半导体先进封装及光电整合相关。
【新品发布】赋能穿戴音频新体验：AW87306DNR/AW87307FCR 重磅推出超低功耗 D 类功放
艾为电子推出超低功耗D类功放AW87306DNR和AW87307FCR，面向AI眼镜、骨传导耳机等可穿戴设备。新品针对镜腿、耳机腔体狭小空间导致的电池容量受限问题，优化频响特性、静电防护与整机功耗，以应对人体静电传导和续航挑战。
Indichem在公州启用半导体材料工厂
Indichem inaugurates semiconductor materials plant in Gongju
Indichem在韩国公州启用半导体材料工厂，生产用于半导体供应链的超高纯度化学品。Indichem是印度特种化学品制造商Acutaas Chemicals Limited的韩国子公司。
台积电以两条COUPE带宽路径和更深的异构集成应对AI I/O瓶颈
TSMC tackles the AI I/O wall with two COUPE bandwidth paths and deeper heterogeneous integration
台积电正强化硅光子路线图，以应对AI算力增长与芯片间数据传输之间的差距，为其下一代COUPE封装技术推出两条带宽扩展路径，并深化异构集成。
台积电高管：硅光子2027年渗透率破5成 CPO今年下半年量产
台积电先进封装技术发展副总经理徐国晋31日出席SEMI论坛表示，硅光子已逐步成为高阶光通讯主流技术，预估2027年市场渗透率将突破5成；CPO将于今年下半年开始量产，代表AI数据中心由电走向光的趋势进一步确立。
三星延后 1.4 奈米量产至 2029 年，陆行之指台积电更有定价权且供应链受惠
三星在SAFE Forum 2026论坛宣布，将1.4纳米制程量产时间从原定的2027年延后至2029年。分析师陆行之指出，此举使台积电在先进制程领域拥有更强定价权，相关供应链有望受惠。该事件涉及半导体制造产能规划调整，可能影响晶圆代工市场供需格局。
技术 | 英特尔14A进度超预期，CFO称为22纳米以来最佳表现
英特尔CFO大卫·津斯纳在2026年8月德意志银行科技会议上披露，下一代14A制程缺陷密度下降速度超内部预设目标，为22nm节点以来最佳表现。
长鑫存储开始为小米18 Fold量产LPDDR6，声称全球首发
CXMT starts LPDDR6 mass production for Xiaomi 18 Fold, claiming global first
中国长鑫存储（CXMT）已开始量产其LPDDR6内存，首批将供应给小米即将推出的18 Fold旗舰手机，该公司称这是LPDDR6的首次商业部署。
SiFive BigSky将RISC-V带入数据中心，支持CUDA、Nvidia链接和企业Linux
SiFive BigSky brings RISC-V into data centers with CUDA, Nvidia links and enterprise Linux
SiFive推出BigSky SF-2U870开发服务器，定位为超大规模企业、软件供应商和SoC开发者将服务器工作负载移植到RISC-V的平台。该2U机架系统支持CUDA、Nvidia链接和企业Linux，旨在促进RISC-V在数据中心的采用。
马斯克以自建涡轮铸造厂攻克AI电力瓶颈
Musk tackles key AI power bottleneck with in-house turbine foundry
SpaceX计划内部制造涡轮叶片，以缓解AI基础设施中的电力设备瓶颈，该瓶颈目前与芯片短缺同样严重。此举若成功，可能加快数据中心建设。
企业 | 传铠侠拟投资1万亿日元在日本建造新厂
铠侠拟投资超1万亿日元，在日本岩手县兴建新厂房，以增产NAND Flash。此举旨在应对AI普及带来的内存需求激增。该投资计划若实施，将扩大铠侠的NAND产能，对存储芯片供应链的供给能力产生潜在影响。
泰实材料利用自研晶体生长炉产出台湾首根12英寸碳化硅晶锭
Taisic Materials produces Taiwan's first 12-inch SiC boule with homegrown crystal growth furnace
泰实材料（Taisic Materials）作为直得机械（Kenmec Mechanical Engineering）的子公司，利用其自主研发的晶体生长炉，成功生产出台湾首根12英寸碳化硅（SiC）晶锭。这一进展标志着台湾在碳化硅衬底材料领域取得突破，对半导体供应链中的功率器件制造具有潜在影响。
台积电积极冲刺先进制程 “异质整合”下个竞争焦点
台积电积极冲刺先进制程，稳居晶圆代工龙头，并在先进封装领域持续精进，以拉开与英特尔、三星等对手的差距。
英特尔14A制程发力追赶台积电 缺陷密度下降速度为22nm以来最佳
英特尔财务长辛斯纳透露，下一代14A制程缺陷密度下降速度为22nm以来最佳，外部客户已从检视技术数据转为询问可取得的产能。业界认为，英特尔14A发力，与台积电下一代先进制程竞争将更激烈。
2026-08-30
长鑫存储官宣LPDDR6量产，自研高端移动内存实现商用
8月29日，长鑫科技宣布自主研发的LPDDR6内存实现量产，首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。该产品为新一代低功耗移动内存，标志着国产高端移动内存商用。
2026-08-29
长鑫存储LPDDR6内存量产，小米18 Fold新折叠旗舰手机首发搭载
长鑫存储LPDDR6内存已量产，小米18 Fold新折叠旗舰手机将首发搭载。该内存为新型产品，用于智能手机，与元器件供应链相关。
黄仁勋藉一场大缺货改写比赛规则，记忆体厂红利没预期那么高了
据近期产业消息，英伟达下一代旗舰芯片Rubin Ultra的存储配置正进行降规格测试。原本市场预期其将采用更高规格的HBM4，但现可能改用HBM3E，导致存储厂商业绩红利不及预期。此调整影响HBM供应链的供需与价格预期。
Xiaomi 18 Fold全球首发长鑫LPDDR6内存
8月29日，小米官宣全新折叠旗舰Xiaomi 18 Fold将全球首发长鑫LPDDR6满血版内存，搭配自研玄戒O3芯片，打造国产芯与国产内存的双旗舰组合。
高通HBC布局将三星和SK海力士拉入HBM之外的新竞赛
Qualcomm's HBC play pulls Samsung and SK hynix into a new race beyond HBM
高通在HBC（高带宽连接）领域的布局，将三星和SK海力士拉入HBM之外的新竞赛。AI基础设施竞赛聚焦于高带宽内存，作为加速计算的关键组件。随着模型规模和上下文窗口的扩大，对内存带宽的需求持续增长。
TDK推出edgeRX Pro传感器模块，扩展TDK SensEI边缘智能产品组合
TDK announces expansion of TDK SensEI edge intelligence portfolio with launch of edgeRX Pro sensor module
TDK公司宣布推出TDK SensEI edgeRX Pro，这是一款新型高性能传感器节点，扩展了其预测性维护平台edgeRX。edgeRX Pro集成了振动、温度等传感器，用于工业设备监测。该产品属于元器件新产品，与传感器供应链相关。
2026-08-28
西门子与莱茵豪森为AI数据中心开发直流电源解决方案
Siemens, Reinhausen develop DC power solutions for AI data centers
西门子与莱茵豪森合作开发并工业化一种固态变压器，适用于高达36kV的电网电压。该技术正为AI数据中心部署而开发。
华盛昌CPO硅光晶圆产品完成验证
8月27日，华盛昌在机构调研中披露，其面向CPO共封装光学方向的硅光晶圆产品已完成发布验证并获得市场认可，后续将投入资源进行技术迭代。
SK海力士将于2029年在印第安纳工厂启动HBM4E生产
SK hynix to Start HBM4E Production at Indiana Plant in 2029
SK海力士CEO郭鲁正在美国印第安纳州西拉法叶半导体工厂的奠基仪式上表示，该先进封装工厂将于2029年开始量产HBM4E。
AMD发布ROCm 10，性能提升最高达3.3倍
AMD Releases ROCm 10 With Up to 3.3-Fold Performance Gain
AMD发布了ROCm 10，作为其开源软件平台ROCm 7的继任者。ROCm类似于Nvidia的CUDA，支持高性能计算（HPC）和AI模型训练。该平台与AMD的GPU等硬件相关，属于软件更新，不涉及硬件产品变更。
壁仞科技完成智谱GLM-5.3-Flash大模型推理验证
8月26日晚间，智谱宣布上线并开源GLM-5.3-Flash (320B-A18B)，这是GLM-5系列的首个原生多模态模型。壁仞科技完成该模型的推理验证。
剑指 1a 制程！长鑫存储成功导入 HKMG 技术，突破 DRAM 微缩限制
中国DRAM大厂长鑫存储成功导入HKMG技术，突破DRAM微缩限制，加速追赶三星、SK海力士与美光等全球内存大厂，目标剑指1a制程。
铠侠、SanDisk 拟砸逾 310 亿美元扩大日本投资
铠侠与SanDisk宣布计划至2028财年投资逾310亿美元，扩大日本生产据点，以因应AI带动的资料储存需求。此投资将用于增设NAND Flash产线，提升产能。此举显示两家公司看好未来储存市场，并将强化其在全球NAND Flash供应链中的地位。
结合台积电 2 奈米与 3D 封装，富士通 144 核处理器 Monaka 细节曝光
富士通在Hot Chips 2026公布新一代服务器处理器Monaka的更多细节，该处理器结合台积电2纳米制程与3D封装，拥有144核。
辉达推出 NVHBM：频宽提升 30%、功耗降低 15%，AWS 抢先合作
辉达宣布扩展 NVLink Fusion 平台，推出新一代高频宽记忆体技术 NVHBM，频宽提升30%，功耗降低15%，并与AWS展开合作。该技术为辉达客制化记忆体，与元器件供应链相关。
五大重磅新品齐发！灵明光子亮相2026光博会｜共筑AI时代光电基石
灵明光子公司在2026年光博会上发布五款重磅新品，展示其在光电领域的技术成果，旨在为AI时代提供光电基础。新品涉及光子探测等元器件，与半导体供应链相关。
三星与台积电在FOPLP上分道扬镳：保留415×510mm面板尺寸，目标2028年量产
Samsung diverges from TSMC on FOPLP: retains 415×510mm panel size, targets 2028 mass production
三星电子封装技术负责人Lee Hee-seok在2026年先进半导体封装与Chiplet展会（ASPS）上概述了先进封装路线图。三星保留415×510mm面板尺寸，与台积电不同，目标2028年量产FOPLP。该技术用于半导体封装，涉及面板级封装，与芯片供应链相关。
2026-08-27
铠侠、闪迪预计到2032年在日本实施超310亿美元的投资
铠侠与闪迪预计到2032年在日本实施超310亿美元投资。过去25年间，双方已在日本完成超500亿美元设备投资。该投资计划涉及存储芯片产能扩张，与半导体供应链相关。
阿里发布Qwen3.8-Flash，开源下一代Qwen4模型架构雏形
阿里发布并开源千问最新模型Qwen3.8-Flash，采用全新下一代架构，千亿总参数仅激活60亿（6B）即可获得超越Claude Opus4.6的前沿性能。据阿里表述，因架构和训练全面革新，训练成本较Qwen3.7-Plus骤降近90%，推理成本大幅下降，每百万Tokens输入仅1元，输出3元，价格最低至DeepSeek-V4-Flash的1/3。
三星电子、SK海力士与高通合作，以此推进HBC芯片商业化
三星电子、SK海力士与高通合作推进HBC芯片商业化，并计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。
清华大学王晓红 教授课题组设计无电感芯片，突破摩擦纳米发电机电源管理电路效率-体积瓶颈
清华大学集成电路学院王晓红教授课题组提出MR-SECE无电感电源管理策略，用于摩擦纳米发电机（TENG）电源管理芯片，以多相开关电容阵列取代传统电感，在紧凑体积内实现高效能量提取。相关论文发表于IEEE Transaction on Industrial Electronics。
高通发布第四代Oryon CPU，首款达到5GHz的移动芯片
Qualcomm Unveils Fourth-Generation Oryon CPU, First Mobile Chip to Reach 5GHz
高通于8月25日正式发布基于Oryon的第四代CPU，用于下一代骁龙平台。该CPU是首款达到5GHz的移动芯片。
Day-0支持｜摩尔线程完成智谱GLM-5.3-Flash极速适配
摩尔线程宣布完成对智谱GLM-5.3-Flash模型的Day-0支持，实现极速适配。该适配涉及摩尔线程的GPU产品与智谱AI的模型，属于芯片与AI模型的协同优化，与元器件供应链关联不大。
HBM混合键合因300°C高温和CMP碟形缺陷而延迟
HBM hybrid bonding delayed by 300°C heat and CMP dishing
高带宽存储器（HBM）堆叠层数持续增加，业界原预期下一代封装方案混合键合（HB）将随HB正式引入，但该技术因300°C高温工艺和CMP碟形缺陷问题而延迟。此延迟影响HBM先进封装进度，进而影响相关存储芯片供应链。
三星发力zHBF，内存竞赛超越HBM
Samsung signals zHBF push as memory race moves beyond HBM
三星电子正推进高带宽闪存（HBF）的开发，将其下一代内存雄心扩展到HBM之外。竞争对手也在努力建立基于NAND的新型内存层级，用于AI推理。此举表明三星在AI内存领域持续投入，可能影响未来存储芯片的供应格局。