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DigiTimes原文发布 08-27 16:22Radar 收录 08-27 17:36查看原文 ↗

三星发力zHBF,内存竞赛超越HBM

Samsung signals zHBF push as memory race moves beyond HBM
中文摘要

三星电子正推进高带宽闪存(HBF)的开发,将其下一代内存雄心扩展到HBM之外。竞争对手也在努力建立基于NAND的新型内存层级,用于AI推理。此举表明三星在AI内存领域持续投入,可能影响未来存储芯片的供应格局。

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