HBM混合键合因300°C高温和CMP碟形缺陷而延迟
HBM hybrid bonding delayed by 300°C heat and CMP dishing
中文摘要
高带宽存储器（HBM）堆叠层数持续增加，业界原预期下一代封装方案混合键合（HB）将随HB正式引入，但该技术因300°C高温工艺和CMP碟形缺陷问题而延迟。此延迟影响HBM先进封装进度，进而影响相关存储芯片供应链。
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