三星据称为英伟达NVHBM平台开发8层HBM4E
Samsung is said to develop 8-layer HBM4E for Nvidia's NVHBM push
中文摘要
三星电子据称正在为英伟达开发8层第七代高带宽存储器HBM4E，以满足英伟达定制NVHBM平台的要求。该消息来自行业报道，表明三星正积极跟进英伟达对高带宽存储器的需求，以在AI芯片供应链中保持竞争力。
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