新思科技与英特尔代工深化合作：面向Intel 14A工艺打造AI驱动的全栈芯片设计“加速引擎”
新思科技与英特尔代工深化合作，面向Intel 14A工艺打造AI驱动的全栈芯片设计加速引擎。提供经认证的AI驱动EDA流程与多物理场分析，涵盖电源完整性、热效应和电磁效应，旨在提升设计可预测性并加快设计收敛。
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2026-08-25
【中报快解】从LED芯片亏损王到英伟达CPO供应链：华灿光电的逆袭之路
华灿光电2026年上半年营收41.82亿元，同比增长65.15%；归母净利润205.30万元，扭亏为盈。京东方入主后整合效应显现，Micro LED量产线投产，经营活动现金流增269.25%至3.57亿元，LED芯片月产能突破90万片。
新思科技推出面向AI内存的CXL 4.0 IP
Synopsys Launches CXL 4.0 IP for AI Memory
新思科技（Synopsys）推出CXL 4.0 IP组合，旨在缓解AI内存瓶颈。该IP组合面向半导体设计，支持AI工作负载。新思科技是EDA软件和半导体IP的主要供应商。
英伟达 Groq 3 LPX 进入全面生产，加速智能体 AI 推理
Nvidia Groq 3 LPX enters full production for faster agentic AI inference
英伟达宣布其 Groq 3 LPX 推理加速器已进入全面生产，该产品旨在加速全球用于编码、推理等任务的智能体 AI 系统。此消息表明该芯片已从样品阶段转向量产，对 AI 推理市场供应有直接影响。
SpaceXAI 将采用英伟达 Vera CPU 以加速大规模智能体 AI
SpaceXAI to use Nvidia Vera CPUs for faster agentic AI at scale
SpaceXAI 计划部署英伟达新款 Vera CPU，以加速智能体 AI 工作负载。此举可能影响全球先进 AI 系统的构建与运行方式。该合作还延伸至其他领域。
矽晶圆传光效率逼近光纤！加州理工研发超低损耗光波导，可见光性能提升 20 倍
加州理工学院宣布，已成功在矽晶圆上打造超低损耗光波导，其光传输效率接近光纤，使晶片光讯号在可见光波段的性能提升20倍。该技术有望应用于晶片间光互连，对半导体光电元件及相关供应链具有潜在影响。
英特尔 18A-P 制程突破，技术革新重塑 Diamond Rapids 处理器与资料中心效能
据半导体研究机构The Futurum Group报告，英特尔下一代数据中心服务器处理器Diamond Rapids将采用18A-P制程，该制程为18A的增强版，带来技术革新，提升处理器性能与数据中心效能。
小米发表自研晶片玄戒 O3，路透：将采台积电 3 奈米制程
小米今日发布自研芯片玄戒 O3，据路透社援引两名知情人士消息，该芯片将采用台积电 3 纳米制程。
SK 海力士揭 HBM 下一代技术蓝图！TSV 数量翻倍，导入先进封装拼「3D 封装结构」
SK海力士公布HBM下一代技术蓝图，计划将TSV数量翻倍，并导入先进封装技术，以推动3D封装结构发展。该公司将封装视为提升下一代HBM性能的关键，正加速相关布局。
三星新晶片 Exynos 2700 给力 传效能全面压过高通
三星电子自研手机芯片Exynos 2700据传性能全面超越高通同类产品，但该消息仅为传闻，尚未有官方确认或具体性能数据。
NXP通过MCU拓扑发现扩展工业端点访问
NXP Expands Industrial Endpoint Access with MCU Topology Discovery
NXP推出MCX A5微控制器，具备拓扑发现功能，可识别并映射连接的设备，提升网络可见性，使端点成为实时数据源，用于分析、自动化和工业边缘AI。该产品面向工业应用，属于元器件新品发布。
EPC宣布EPC2370 18V GaN FET量产，面向下一代AI电源架构
EPC Announces Mass Production of EPC2370 18 V GaN FET for Next-Generation AI Power Architectures
Efficient Power Conversion (EPC) 宣布其增强型氮化镓功率器件EPC2370开始量产。该器件为超低导通电阻的18V eGaN FET，面向下一代AI电源架构。EPC是增强型氮化镓功率器件领域的领导者。
2026-08-24
小米玄戒O3官宣支持LPDDR6，长鑫存储为国产内存合作伙伴
8月24日，小米发布玄戒O3芯片，为全球首个支持LPDDR6内存的旗舰移动SoC。行业信源证实，长鑫存储（CXMT）是小米玄戒O3的LPDDR6内存核心合作伙伴。
AMD推出AI成本计算器
AMD Launches AI Cost Calculator
AMD于8月24日推出人工智能成本计算器，帮助企业估算总拥有成本（TCO）的潜在降低。该工具旨在评估AI部署成本。
小米委托台积电制造可折叠手机、AI及自动驾驶芯片
Xiaomi taps TSMC to make chips for foldables, AI and autonomous driving
小米将自研半导体业务从智能手机扩展至AI加速和自动驾驶领域，发布三款Xring处理器，加深了对台积电制造的依赖。
中微公司将发布刻蚀、薄膜、MOCVD等多款新品
中微公司预告将于8月24日在第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）期间举办新品发布会，推出刻蚀、薄膜、MOCVD等多款高端设备，覆盖集成电路微观加工高端设备多个关键领域。
新品推荐 | 国芯科技CCRC4XXX将AI与抗量子安全装进车规MCU
国芯科技推出车规MCU CCRC4XXX，集成AI与抗量子安全功能，面向智能汽车域控制与中央计算架构，用于车身、底盘和动力系统的实时控制。
中天弘宇二代大容量NOR Flash量产在即 初代产品出货破6亿颗
中天弘宇集成电路有限公司第一代存储产品8M版本累计出货量突破6亿颗。第二代大容量NOR Flash基于同一技术架构，即将进入送测和量产阶段。公司独创的二次电子倍增注入浮栅技术路线完成从原理验证到工程实现再到市场检验的闭环。
2026-08-23
安世中国携12英寸平台产品，重构功率半导体全球棋局
安世半导体于2025年9月被接管，10月晶圆断供。2026年3月，安世中国宣布12英寸晶圆双极分立器件小批量量产。5月，独立运营体系基本完成搭建。历时200天，安世中国从断供中恢复，实现12英寸平台产品量产，影响功率半导体供应链。
【中报快解】5条mSAP产线年内建成、珠海基地50亿扩产，景旺电子重金押注AI算力
景旺电子2026年上半年营收86.11亿元，同比增长21.37%，归母净利润6.02亿元，同比下降7.38%。AI算力业务提速，800G光模块收入环比增近1500%，Q2净利润环比增长58.55%达3.69亿元。公司计划年内建成5条mSAP产线，珠海基地扩产50亿元。
群创法说焦点「腾笼换鸟」！未回应台积电 CoPoS 合作问题，TGV 玻璃基板最快 2028 年量产
群创于18日举行线上法说会，焦点为FOPLP量产状况及TGV玻璃基板，最快2028年量产。公司未回应台积电CoPoS合作问题。
【中报快解】宏昌电子上半年产能释放驱动营收高增，补税因素压制净利表现关键事件
宏昌电子2026年上半年营收21.86亿元，同比增长64.83%；归母净利润3939.15万元，同比增长141.15%。珠海宏仁投产及产品涨价驱动业绩增长，但补缴税款4041.91万元压制净利，经营现金流同比下降16.69%。
景旺电子调整珠海金湾扩产计划 拟43.88亿元投建超高多层PCB智能制造项目
景旺电子（603228）于2026年8月21日召开董事会，审议通过调整珠海金湾基地扩产投资计划，将原“关键工序产能强化投资项目”变更为“超高多层PCB智能制造项目”，预计总投资43.88亿元，资金来源为自有及自筹资金。
玻璃基板进入量产关键期！三星、英特尔、蓝思竞逐TGV 良率与客户认证成胜负关键
AI与HPC推动先进封装升级，玻璃基板产业进入工程验证关键期。产业链进展分化：有业者推进合作与中试线，也有厂商因客户可靠性测试瓶颈调整量产时程。竞争焦点从宣布时间转向稳定通过验证并按时交付。涉及三星、英特尔、蓝思等公司，TGV技术良率与客户认证成为胜负关键。
2026-08-21
产品 | SD卡高速接口电平转换+强ESD防护！艾为AW39106PLR赋能存储扩展新体验
艾为电子推出AW39106PLR，用于SD卡高速接口的电平转换与强ESD防护，支持SD 3.0标准，适用于智能手机、平板、数码相机等设备，提升存储扩展体验。
美光在博伊西揭幕100亿美元AI内存研究实验室
Micron unveils $10 billion AI memory research lab in Boise
美光在爱达荷州博伊西揭幕其研究实验室，该实验室将作为旗舰园区，支持关键内存技术等先进研究。项目投资100亿美元，聚焦AI内存领域。此举与元器件供应链相关，可能影响未来内存技术发展。
谦合益邦全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片点亮
3D存算一体芯片企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮。该芯片采用自研三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成。
全球首个！深圳平湖实验室GaN-on-SiC工艺平台取得新突破
8月20日，深圳平湖实验室宣布推出全球首个8英寸碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）增强型HEMT工艺平台。该平台已完成多项关键技术攻关，验证了8英寸GaN-on-SiC技术的产业化可行性。
韩媒：SK 海力士拟砸「数十兆」在日本盖记忆体工厂
据韩媒报道，韩国存储大厂SK海力士拟投资数十兆韩元，在日本宫城县新建存储工厂。该计划尚处意向阶段，未披露具体产能、投产时间及产品类型。若落地，将影响存储芯片全球供应格局，与现有日本存储产业布局相关。
携手台积电打造 5 奈米自研晶片，Waymo 算力破千 TOPS 剑指特斯拉
Alphabet旗下自动驾驶公司Waymo于20日宣布，已为其Robotaxi车队量身打造首款自研芯片，该芯片采用台积电5纳米制程，算力突破千TOPS，旨在对标特斯拉。
传年底小量出货中国专用 LPU，辉达否认：无相关规划
辉达否认科技媒体The Information报导其计划年底前小量出货中国专用LPU，称无相关规划。该报导涉及辉达针对中国市场的产品策略，但辉达已明确否认，目前无实际出货或规划发生。
忆月启函存储芯片研发项目落地海口
8月19日，忆月启函旗下存储芯片研发主体忆芯存（海南）科技有限公司正式落地海口综合保税区。
博通集成：Wi-Fi放量驱动营收强劲增长70%，扣非扭亏标志盈利拐点
博通集成2026年上半年营收6.39亿元，同比增长70.21%；归母净利润5050.16万元，同比增长162.60%；扣非净利润扭亏至2073.26万元。Wi-Fi芯片在端侧AI与AIoT场景放量驱动增长，毛利率稳定，BK7259边缘AI芯片量产，标志盈利拐点。
谦合益邦首款4层3D DRAM存算一体芯片成功点亮
谦合益邦宣布，其自主研发的首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着该技术从验证阶段迈向实际应用。该芯片采用4层3D DRAM堆叠技术，实现存算一体功能，有望提升计算效率并降低功耗。此次成功点亮为后续量产奠定基础，对存储与计算融合的芯片供应链具有积极意义。
年底小量出货中国专用LPU？英伟达否认：无相关规划！
8月20日，外媒The Information爆料称，英伟达计划年底前出货一款为中国客户定制的语言处理器（LPU）。英伟达随后回应，其产品规划中没有专为中国市场设计的版本。
恩智浦推出MCX A5 MCU，打破工业安全连接瓶颈！
恩智浦半导体推出MCX A5系列MCU，面向工业与物联网边缘应用，简化安全连接。该系列为恩智浦首款在有线MCU上实现拓扑发现功能的产品，配备10BASE-T1S以太网数字PHY，并采用后量子加密(PQC)技术。开发人员可连接更多工业边缘设备，同时应对不断演进的网络安全要求。
谦合益邦打造全球首款4层3D DRAM存算一体芯片
谦合益邦推出全球首款4层3D DRAM存算一体芯片，标志着该技术从验证阶段进入工程落地。
小米Xring O3临近发布，采用台积电N3P工艺，检验其自研芯片战略
Xiaomi's Xring O3 nears launch on TSMC N3P, testing its in-house chip strategy
小米创始人兼董事长雷军确认新一代Xring芯片即将推出，供应链消息称该芯片采用台积电N3P工艺，标志着小米自研芯片策略向高端市场推进。
SK海力士考虑在日本宫城县建存储芯片厂，但表示投资尚未最终确定
SK hynix weighs Japan memory fab in Miyagi, but says no investment is final
SK海力士正考虑在日本宫城县进行大规模存储半导体投资，该县成为潜在选址，但公司强调尚未做出最终决定。此消息涉及存储芯片产能扩张计划，若落实将影响全球存储芯片供应格局，与元器件供应链的产能布局相关。
英伟达否认年底推出中国特供LPU：产品路线图中没有相关计划
英伟达否认年底前向中国市场推出定制AI芯片的报道，表示产品路线图中没有面向中国市场的特定LPU产品。
Primemas 目标凭借 CXL 内存解决方案实现 2 亿美元营收
Primemas Targets $200 Million in Revenue With CXL Memory Solution
Primemas 公司计划凭借其 Compute Express Link (CXL) 内存解决方案，在明年年底前实现 2 亿美元营收。该方案支持单服务器内存容量超过 100 TB。
长电科技实现1.5微米TSV里程碑，助力更高密度HBM及2.5D/3D封装
JCET hits 1.5μm TSV milestone for denser HBM and 2.5D/3D packaging
长电科技集团已完成1.5微米直径、17微米深、深宽比11.3:1的硅通孔（TSV）试产，将其先进封装能力拓展至更密集的2.5D/3D封装领域。该技术突破有望提升HBM等高性能芯片的集成度。
2026-08-20
【新品发布】SD卡高速接口电平转换+强ESD防护！艾为AW39106PLR赋能存储扩展新体验
艾为电子发布新品AW39106PLR，该产品为SD卡高速接口电平转换芯片，具备强ESD防护功能，用于存储扩展应用。
产品-Vishay厚膜功率电阻通过提高功率密度实现节省空间并简化设计
威世科技推出新型厚膜功率电阻，可提供650 W连续功率，支持可定制布线方案，并可选配集成NTC温度传感器。该产品旨在通过提高功率密度节省空间并简化设计，适用于电子元器件供应链中的功率管理应用。
英伟达CPO交换机全面量产，重构AI数据中心光互连格局
英伟达宣布Spectrum-X以太网硅光交换机进入全面量产，为全球首款200G/lane共封装光学（CPO）以太网交换机。相比传统可插拔方案，激光器数量减少约75%，功耗降低约80%，平均故障间隔时间提升10倍，信号完整性提升约64倍，单芯片交换容量达102.4Tb/s。
高通瞄准新台币1万元入门级PC，已有4个品牌采用
Qualcomm targets NT$10,000 entry-level PCs as 4 brands adopt
高通正以Snapdragon C平台进军入门级PC市场，已有4个品牌采用。苹果599美元MacBook Neo以及DRAM和NAND成本飙升，从两端挤压低价Windows笔记本。
东芝推出适用于工业设备48V电源线保护的小型80V电子保险丝（eFuse IC）
东芝推出适用于工业设备48V电源线保护的小型80V电子保险丝（eFuse IC）。该产品用于工业设备电源线保护，属于新型电子元器件。
Vishay厚膜功率电阻通过提高功率密度实现节省空间并简化设计
Vishay推出新型厚膜功率电阻，通过提高功率密度实现节省空间并简化设计。该产品适用于电子电路，有助于减小占板面积。
美光携手WEKA，打造AI存储密度新标杆
美光与WEKA合作，在2U机架空间内实现15.8 PB存储容量。7月21日，WEKA推出全新WEKApod™系统系列，旨在满足AI数据中心对容量和性能密度的需求。
埃米时代的背面供电革命：台积电A16芯片“最小改动”重塑竞争格 局
2026年8月18日，业界消息确认台积电已完成A16（1.6nm）先进逻辑制程的研发与认证。该平台为业界首个导入“超级供电轨”（SPR）背面供电架构的埃米级CMOS平台，标志着半导体制造进入埃米时代后供电网络架构的范式转换。文章从技术突破、竞争格局、路线图演进三方面分析其对全球半导体行业的影响。