谦合益邦首款4层3D DRAM存算一体芯片成功点亮

谦合益邦宣布，其自主研发的首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着该技术从验证阶段迈向实际应用。该芯片采用4层3D DRAM堆叠技术，实现存算一体功能，有望提升计算效率并降低功耗。此次成功点亮为后续量产奠定基础，对存储与计算融合的芯片供应链具有积极意义。