长电科技实现1.5微米TSV里程碑，助力更高密度HBM及2.5D/3D封装
JCET hits 1.5μm TSV milestone for denser HBM and 2.5D/3D packaging
中文摘要
长电科技集团已完成1.5微米直径、17微米深、深宽比11.3:1的硅通孔（TSV）试产，将其先进封装能力拓展至更密集的2.5D/3D封装领域。该技术突破有望提升HBM等高性能芯片的集成度。
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