谦合益邦全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片点亮
中文摘要
3D存算一体芯片企业谦合益邦宣布,其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮。该芯片采用自研三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术,在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成。
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3D存算一体芯片企业谦合益邦宣布,其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮。该芯片采用自研三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术,在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成。
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