全球首个！深圳平湖实验室GaN-on-SiC工艺平台取得新突破

8月20日，深圳平湖实验室宣布推出全球首个8英寸碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）增强型HEMT工艺平台。该平台已完成多项关键技术攻关，验证了8英寸GaN-on-SiC技术的产业化可行性。