英特尔俄亥俄州晶圆厂建设提速,EMIB-T封装良率接近90%
中文摘要
英特尔正加速建设俄亥俄州晶圆厂,目标2031年投产,并发放高额加班奖金。其EMIB-T先进封装技术良率接近90%,仅剩基板良率待解决,计划2027年批量推出,与台积电CoWoS-L竞争。
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英特尔正加速建设俄亥俄州晶圆厂,目标2031年投产,并发放高额加班奖金。其EMIB-T先进封装技术良率接近90%,仅剩基板良率待解决,计划2027年批量推出,与台积电CoWoS-L竞争。
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