铠侠开始出货第九代NAND闪存样品,性能提升超30%
中文摘要
日本芯片制造商铠侠宣布已开始出货第九代NAND闪存芯片样品,性能较上一代提升超30%,目标明年在日本三重县四日市工厂量产。同日,铠侠还宣布开发出使用第十代芯片、读取速度达前代8倍以上的AI服务器固态硬盘。
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日本芯片制造商铠侠宣布已开始出货第九代NAND闪存芯片样品,性能较上一代提升超30%,目标明年在日本三重县四日市工厂量产。同日,铠侠还宣布开发出使用第十代芯片、读取速度达前代8倍以上的AI服务器固态硬盘。
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