长鑫存储LPDDR6完成研发验证,速率高达12.8Gbps
中文摘要
8月1日消息,据外媒Wccftech报道,中国DRAM厂商长鑫存储(CXMT)在LPDDR6研发上取得关键突破,已接近研发验证尾声,距离量产一步之遥。此举标志国产DRAM技术从跟跑到领跑,有望在全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光主导的格局中撕开缺口。
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8月1日消息,据外媒Wccftech报道,中国DRAM厂商长鑫存储(CXMT)在LPDDR6研发上取得关键突破,已接近研发验证尾声,距离量产一步之遥。此举标志国产DRAM技术从跟跑到领跑,有望在全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光主导的格局中撕开缺口。
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