世界先进上季每股赚 1.56 元！估 Q3 晶圆出货量再增、毛利率上看 34.5%
晶圆代工厂世界先进公布第二季财报，合并营收约142.45亿元新台币，季增，每股盈余1.56元。公司预估第三季晶圆出货量将再增加，毛利率上看34.5%。
2026-08-04 全量归档
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渠道与公司
AI 与先进封装市场成长带动环球晶第二季获利季增近倍，上半年 EPS 达 11.87 元
全球半导体硅晶圆大厂环球晶公布2026年第二季及上半年营运报告。受惠于AI需求强劲及半导体技术演进，第二季获利季增近倍，上半年EPS达11.87元。
延续黄崇仁理念！谢再居：力积电经营风格走向稳健，拼完成配息承诺
力积电董事长黄崇仁于上周五（31日）因心肺衰竭过世，公司今（4日）召开媒体茶会，由代理董事长谢再居、总经理说明经营方针。谢再居表示将延续黄崇仁理念，经营风格走向稳健，并力拼完成配息承诺。
力积电 8/5 起开放预约黄崇仁追思会！张忠谋担任荣誉治丧委员会主委
力积电董事长黄崇仁于上周五（31日）因心肺衰竭过世，公司今（4日）召开媒体茶会，由代理董事长谢再居宣布，8月5日起开放预约追思会，并由张忠谋担任荣誉治丧委员会主委。
中华电信、富士通与1Finity推进APN与量子技术
Chunghwa, Fujitsu, 1Finity to advance APN, quantum tech
中华电信、富士通与1Finity签署谅解备忘录，以推进其现有的全光子网络（APN）计划，并加速合作以扩展下一代通信技术。该合作涉及电信运营商与设备商在光网络和量子技术领域的联合研发，属于战略合作性质，不涉及具体元器件供应或产能变化。
第五轮奖金谈判分歧巨大！SK海力士工会：将采取必要行动！
8月4日，SK海力士与工会代表在韩国忠清北道清州市厂区举行第五轮奖金谈判，围绕奖金发放方式分歧严重，工会警告若资方不提出具体修正方案将采取必要行动。
SK海力士联手闪迪，重要发布
SK海力士与闪迪宣布合作，具体内容未披露。该合作可能涉及存储产品与技术领域，对元器件供应链中存储环节的供应格局或产品线可能产生影响。
半数奖金改发股票惹议，SK 海力士迎第五轮劳资谈判
SK海力士今日在韩国清州市厂区与工会代表就奖金方案进行第五轮谈判。资方提议以股票形式发放过半奖金，引发争议。谈判涉及公司薪酬政策，与半导体制造企业的人力成本及运营相关。
AMD 第二季财报表现受关注，Helios 系统力拼 Vera Rubin 出货
AMD即将公布第二季财报，市场关注其业绩表现。在半导体类股情绪剧烈反转之际，财报与AI业务进展受瞩目。Helios系统旨在推动Vera Rubin出货，但具体细节未披露。
Micross 收购 AEMtec，扩大欧洲业务版图
Micross to acquire AEMtec, expanding European footprint
Micross 宣布收购 AEMtec，后者专注于封装与集成价值链的端到端解决方案。此次收购将增强 Micross 在欧洲大陆的业务，并拓宽其产品组合。
十铨科技2026年第二季度利润飙升逾200倍，预计DRAM短缺将持续至2027年
Team Group 2Q26 profit surges more than 200-fold, expects DRAM shortage to persist through 2027
内存模组制造商十铨科技（Team Group）公布2026年上半年创纪录利润，因需求激增及DRAM供需缺口持续，盈利达历史新高。第二季度利润同比增长超过200倍。公司预计DRAM短缺将持续至2027年。此消息反映存储市场供应紧张，对元器件供应链有直接影响。
长鑫存储注册资本增至313.9亿元 增资幅度约31%
天眼查App显示，长鑫存储技术有限公司近日发生工商变更，注册资本由约238.9亿人民币增至约313.9亿人民币，增资幅度约31%。
机构：Q2长鑫科技营收暴增716%，位居全球DRAM市场第四
Counterpoint Research报告显示，2026年第二季度长鑫科技营收同比暴增716%，以7%市场份额位居全球DRAM市场第四。
长鑫存储上市引发对DRAM价格和全球内存竞争的担忧
CXMT listing fuels concerns over DRAM prices and global memory competition
中国长鑫存储（CXMT）母公司长鑫存储技术上市后引发市场关注，市场对其未来估值估计在1600亿至1.1万亿美元之间。此举加剧了全球内存市场竞争，并引发对DRAM价格走势的担忧。
OCI携手日本伙伴进军半导体晶圆再生市场
OCI Targets Semiconductor Wafer Reclaim Market With Japan Partnership
OCI公司准备通过与一家日本专业公司合作进入半导体晶圆再生业务。作为该计划的一部分，OCI计划将OCI Specialty的工厂改造为晶圆再生设施。此举旨在拓展半导体材料相关业务，与供应链中的晶圆再利用环节相关联。
长江存储否认在全球3D NAND专利纠纷中败诉给美光
YMTC rejects patent-loss claims in global 3D NAND clash with Micron
长江存储（YMTC）否认美国专利商标局（USPTO）无效其一项核心3D NAND专利全部19项权利要求的说法，称相关报道“严重误导”。该公司与美光（Micron）在全球范围内存在3D NAND专利纠纷。此事件涉及存储芯片专利诉讼，可能影响相关元器件供应链。
美光、联发科支持ChipAgents，代理式AI初创公司A轮融资扩展至1.34亿美元
Micron, MediaTek back ChipAgents as agentic AI startup extends series A to US$134 million
ChipAgents是一家成立两年的初创公司，为芯片设计和验证构建自主AI代理。该公司在A2轮融资中额外筹集了6000万美元，使A轮融资总额达到1.34亿美元。美光和联发科参与了本轮投资。
博通想挡欧盟查文件失败！VMware反垄断案继续烧
美国芯片大厂博通试图暂停欧盟反垄断主管机关调阅美国法律文件，但遭欧盟法院驳回。欧盟普通法院裁定支持欧盟执委会的调查权限。此案与博通2023年收购VMware有关。
突发与物流
日本熊本地震后半导体厂陆续复产关键事件
日本熊本地震后，当地半导体工厂陆续恢复生产。此次地震曾导致多家半导体厂停工，现正逐步复产，对供应链的影响正在缓解。
台积电熊本工厂生产已恢复至地震前水准关键事件
日本熊本县聚集众多半导体相关工厂，受7月28日规模7.1强震影响，多家企业厂房一度停工。台积电熊本工厂生产已恢复至地震前水准。
台积电：熊本工厂已恢复正常运营关键事件
台积电宣布，其位于日本熊本县的JASM厂区已恢复正常运营，此前因地震造成的生产中断已得到控制。
熊本半导体生产恢复，台积电日本子公司恢复正常运营关键事件
Kumamoto semiconductor production recovers, TSMC's Japan subsidiary returns to normal operations
台积电宣布，其位于熊本县菊阳町的日本子公司JASM在因地震导致生产中断后已恢复正常运营。此次恢复标志着该地区半导体生产能力的回归。JASM是台积电在日本的重要制造基地，其运营状态对全球半导体供应链具有影响。
政策贸易
台湾将半导体和人工智能列为高耗能产业，启动脱碳项目
Taiwan classifies semiconductors, AI as high-energy industries, launches decarbonization project
台湾政府近期在文件中将半导体和AI产业列为高耗能产业，并启动脱碳项目。此举标志着制造业能源管理的新动向，可能影响相关企业的能源使用与碳排放要求，进而对半导体供应链的运营成本与合规产生潜在影响。
产品变更
研微半导体：SiC EPI设备再次交付国内上市公司客户
8月4日，研微（江苏）半导体科技有限公司通过官微宣布，其自主研发的SiC EPI设备再次交付国内上市公司客户。
SK海力士与闪迪发布首批HBF规范，容量高达512GB，带宽达3TB/s
SK Hynix, Sandisk release first HBF specs with up to 512GB and 3TB/s bandwidth
8月4日，SK海力士与闪迪发布了高带宽闪存（HBF）的首批标准规范，定义了基于NAND的存储技术，容量最高512GB，带宽最高3TB/s。该规范涉及新型存储产品，与元器件供应链相关。
Reimagine Robotics 推出“边干边学”的机器人
Reimagine Robotics goes public with robots that ‘learn on the job’
Reimagine Robotics 公司推出可在工作中学习的智能机器人，无需专业程序员，工人可自行训练和使用。该机器人适用于任务或生产流程变化场景。
据报道，惠普、华硕和宏碁转向长鑫存储采购笔记本电脑内存
HP, Asus and Acer reportedly turn to CXMT for laptop memory
据日经亚洲报道，惠普、华硕和宏碁已开始在部分美国以外销售的廉价笔记本电脑中使用中国长鑫存储（CXMT）的DRAM，但使用量有限。此举表明中国存储供应商在PC内存市场取得进展，可能影响全球DRAM供应格局。
Eugene Technology完成用于亚10纳米DRAM的TiN ALD设备开发
Eugene Technology Completes Development of TiN ALD Tool for Sub-10nm DRAM
Eugene Technology已完成用于亚10纳米DRAM制造的氮化钛原子层沉积设备的开发，并准备商业化。该设备用于DRAM制造中的TiN沉积，面向先进制程。
群电预期 AI 电源明年量产，美系通讯新品第四季放量
群光电能持续布局AI电源市场，多项AI及传统伺服器电源新品已进入送样及测试阶段，预计明年量产。美系通讯新品预计第四季放量。
总投资18亿元，大彩光电西部超级工厂在乐山正式投产
8月1日，浙江大彩光电西部超级工厂在乐山市市中区正式投产，系大彩（乐山）西南半导体新型显示制造基地一期项目，总投资18亿元，从签约到投产仅用5个月，填补西南地区高端显示产品自产空白。
SK 海力士宣布携手 Sandisk 宣布 HBF 首个标准规范
SK海力士与Sandisk联合发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。该规范旨在定义HBF接口标准，以支持AI等高性能计算应用对存储带宽的需求。此举有望推动HBF技术生态发展，对存储芯片供应链产生潜在影响。
IPO 成功获得资金，长鑫存储预定北京兴建第二座 12 吋 DRAM 晶圆厂
长鑫存储（CXMT）IPO成功获得资金，计划在北京兴建第二座12吋DRAM晶圆厂。此扩产计划将增加DRAM产能，影响存储晶片供应。
内存短缺之际，惠普、华硕和宏碁开始采用长鑫存储芯片关键事件
在AI基础设施需求引发的内存短缺背景下，惠普、华硕和宏碁等主要PC厂商已开始少量采用长鑫存储的DRAM芯片。此举涉及PC厂商对国产存储芯片的导入，与元器件供应链中PC OEM的采购策略调整相关。
继DeepSeek之后，英特尔中国为MiniMax H3提供Day 0支持
Intel China adds day 0 support for MiniMax H3 after DeepSeek
英特尔中国已完成对MiniMax H3的Day 0适配，这是中国AI初创公司MiniMax最新发布的多模态生成模型。此前，英特尔中国已为DeepSeek模型系列提供支持。此举表明英特尔正积极适配中国AI模型，以扩大其芯片在AI推理市场的应用。
消息称长鑫存储考虑在北京建设第二座DRAM晶圆厂，中国城市竞相争夺存储芯片投资
CXMT reportedly weighs second Beijing DRAM fab as Chinese cities compete for memory chip investment
中国领先的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）正考虑在北京亦庄建设第二座12英寸存储芯片晶圆厂，并处于早期融资阶段。此举引发中国多个城市竞相争夺存储芯片投资。该计划若实施，将扩大CXMT的产能，影响DRAM市场供应格局。
传长鑫存储将在北京建第二座12英寸DRAM晶圆厂
8月3日消息，业内消息显示，中国最大DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT）计划在北京兴建第二座12英寸DRAM晶圆厂。该扩产计划旨在应对AI基础设施建设对DRAM芯片日益增长的市场需求，并提升其全球市场地位。
MaxLinear推出‘Panther’AI数据压缩加速器以解决内存瓶颈
MaxLinear Unveils ‘Panther’ AI Data Compression Accelerator to Tackle Memory Bottlenecks
美国半导体公司MaxLinear推出名为Panther的硬件加速器，用于压缩AI数据，提高内存和存储资源利用率。该产品旨在解决AI工作负载中的内存瓶颈问题。
YEST出货首台125片高压氢气退火系统
YEST Ships First 125-Wafer High-Pressure Hydrogen Annealing System
YEST于8月3日宣布，已首次出货配备125片晶圆腔室的高压氢气退火（HPA）系统。HPA设备用于修复半导体硅片表面缺陷。
闪迪与SK海力士发布HBF规范，推进AI内存标准
Sandisk and SK Hynix release HBF spec to advance AI memory standard
闪迪与SK海力士通过开放计算项目发布了高带宽闪存（HBF）技术规范，旨在推动AI内存标准发展。该规范可能影响全球未来AI基础设施的构建。此举涉及两家存储芯片厂商，与AI服务器及存储供应链相关。
SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范
2026年8月4日，SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。该规范针对下一代存储技术，旨在提升存储带宽与性能。此举将影响存储芯片供应链，相关产品与标准或推动新应用落地。
澜起科技推出CXL 3.2内存扩展控制器，获三星、SK海力士支持
Montage brings CXL 3.2 memory expansion to AI data centres with Samsung, SK Hynix support
澜起科技宣布其业界首款CXL 3.2内存扩展控制器已开始试产，该产品面向AI和云数据中心日益增长的内存容量与池化需求。三星和SK海力士表示支持。此控制器有望提升内存扩展效率，对服务器内存供应链产生影响。
SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范 在FMS 2026展示面向AI的存储解决方案
SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）首个标准规范，定义8层和16层NAND堆叠配置，最高支持512GB容量，带宽覆盖0.4TB/s至3.0TB/s，采用UCIe互联接口。该技术面向AI存储解决方案，在FMS 2026上展示。
长鑫存储拟在北京建设第二座12英寸晶圆厂，推进DRAM产能扩张
中国存储芯片厂商长鑫存储拟在北京亦庄建设第二座12英寸DRAM晶圆厂，以推进产能扩张。公司已与科技制造产业平台展开融资洽谈，项目仍处于早期讨论阶段。
英特尔先进制程进化 成本比台积电CoWoS低50%
英特尔EMIB-T先进封装技术良率已突破九成，预计明年量产，成本仅为台积电CoWoS的一半，已拿下联发科订单，博通、Meta等也在评估采用。
瑞萨通过MRDIMM更新解决内存瓶颈
Renesas Tackles Memory Bottleneck with MRDIMM Update
瑞萨推出第三代DDR5 MRDIMM，带宽达16,000 MT/s，旨在解决AI内存瓶颈，无需平台大改。该产品面向AI应用，与元器件供应链相关。
研究数据
中信建投：半导体设备全球景气周期持续确认 关注涨价+出海
中信建投近日表示，SEMI预计2026年全球半导体制造设备销售额将创下1659亿美元历史新高，同比增长23.2%，增长势头预计持续至2028年，总销售额有望达2295亿美元，实现连续五年增长。
研报称Q2三星重返DRAM市场份额第一 长鑫存储增速最快
Counterpoint Research报告显示，2026年第二季度三星电子以39%市场份额重返全球DRAM市场第一。美光科技以25%份额紧随其后，SK海力士位列第二。长鑫存储增速最快。
华为首席科学家警告：英伟达等巨头即将面临芯片性能瓶颈
华为首席半导体科学家廖恒在罕见公开露面中警告，英伟达等芯片巨头在追求更强大处理器时即将面临物理极限。此言论涉及芯片性能发展瓶颈，与元器件供应链的技术演进相关，但未提及具体事件或数据。
理解长生命周期电子产品中的半导体日期代码
Understanding semiconductor datecodes in long-lifecycle electronics
电子行业多年来一直担忧短缺、假冒元器件和停产通知。RoNordic-Baltic区域销售经理Ronny Nietzsche对此发表了看法。
英伟达护城河告急：AI智能体要掀翻CUDA？
据《商业内幕》8月4日报道，英伟达最大的竞争优势已不再像过去那样牢不可破。报道未提及具体事件或数据，仅指出其护城河面临挑战。
报告揭秘DRAM新格局：三星夺回第一，长鑫瞄准全球前三
8月4日，Counterpoint Research发布2026年第二季度DRAM市占排名。三星电子以39%居首，环比增1%；SK海力士市占率从去年同期39%降至26%；美光以25%紧随其后；长鑫存储市占率达7%，为全球增长最快DRAM供应商。
高通孟樸：技术创新与产业发展共进 推动AI技术快速落地
高通中国区董事长孟樸在2026企业家太阳岛年会上接受采访，就AI技术落地、生态合作及产业应用等议题分享观点。会议主题为新质生产力，聚焦人工智能与实体经济融合。
晶片股杠杆交易火热！SK 海力士、美光、辉达成 ETF 吸金王
全球资金涌入半导体杠杆型 ETF，SK 海力士、美光、辉达等晶片股成为吸金焦点。投资人对 AI 与晶片产业乐观情绪升温，资金持续流入相关杠杆产品。此现象反映市场对半导体需求前景看好，但未涉及具体供应链事件。
TPU 晶片销售落后辉达，巴克莱看好 Google 携博通可望创造 2,520 亿美元商机
巴克莱银行报告指出，Google 的 TPU 晶片销售落后于辉达，但若调整 AI 晶片业务模式，携手博通，未来最高可望创造 2,520 亿美元商机。
日月光揭示 AI 先进封装蓝图，VIPack、面板级封装与矽光子成突围关键
日月光半导体前瞻工程开发处资深处长黄敏龙在2026台日半导体科技论坛发表AI趋势下的先进封装发展，揭示AI先进封装蓝图，强调VIPack、面板级封装与矽光子技术为突围关键。
机构：DeepSeek V4-Flash模型运行成本最低，远低于Anthropic Claude Fable 5
研究机构Artificial Analysis测算，中国AI初创企业深度求索（DeepSeek）的新款旗舰AI模型V4-Flash在基准测试中的运行成本为全球知名模型最低，不到Anthropic的Claude Fable 5的百分之一。
新思科技 x 英伟达重磅发布可长时间运行自主智能体AI，50倍加速开启芯片设计“自动驾驶”时代
新思科技与英伟达在2026 DAC Chips to Systems Conference上宣布合作，加速面向工程领域的智能体AI技术发展，打造新一代自主化工程工作流，以提升生产力并帮助客户加快创新步伐。
韩国5000亿韩元SiC功率半导体研发项目停滞，大企业犹豫不决
S. Korea's KRW500B SiC Power Semiconductor R&D Stalls as Major Firms Hesitate
韩国政府推动的5000亿韩元SiC功率半导体研发项目进展停滞，因主要企业犹豫不决。该项目旨在培育下一代功率半导体产业，但缺乏企业参与。
行情供需
先进封装产能缺口持续！全球封测双雄Q2超预期、A股封测竞速突围
全球封测行业高景气，日月光投控、安靠科技Q2营收利润同比大增，先进封装占比提升，上调资本开支扩产，并通过长期协议锁定AI客户产能。国内封测加码高端产能，攻坚2.5D/3D、高密度扇出、面板级封装及CPO技术。先进封装产能缺口持续，产业价值抬升。
AI 排挤效应发酵、记忆体供应吃紧：惠普与双 A 低调导入长鑫存储关键事件
受AI基础设施强劲需求带动，全球内存供应紧张。为缓解缺料压力，惠普、华硕等厂商低调导入长鑫存储产品。
台积电涨价＋GDDR7 变贵 南韩 RTX 50 显卡 8 月喊涨关键事件
韩媒报道，受台积电先进制程晶圆价格上调及GDDR7内存价格攀升影响，韩国当地GPU预计自8月起涨价。涉及RTX 50系列显卡，具体涨幅未明。此涨价与元器件供应链中晶圆代工和内存成本上升相关。
三星晶圆代工下半年计划实现100%产能利用率
三星电子晶圆代工业务计划在2026年下半年实现100%产能利用率，目前利用率约70%至80%。HBM4基板芯片需求和美国大型科技客户订单成为主要驱动力。
诺斯罗普·格鲁曼获得30亿美元导弹防御合同
Northrop Grumman secures $3 billion in missile defence deals
美国国防部与诺斯罗普·格鲁曼签署框架协议，以提升PAC-3和THAAD组件的产量。合同总额达30亿美元。该协议涉及导弹防御系统的生产，与元器件供应链相关，可能影响相关电子元器件的需求。
ASIP在印度投资2.6亿美元建设OSAT工厂并破土动工
ASIP breaks ground on $260 million OSAT facility in India
ASIP在印度安得拉邦占地30英亩的OSAT工厂破土动工，投资2.6亿美元，年产能9600万颗芯片，服务于AI、高性能计算、数据中心和高速通信等高增长领域。
英伟达RTX 50显卡价格上涨，因台积电和内存成本上升关键事件
Nvidia RTX 50 graphics card prices climb as TSMC and memory costs rise
英伟达GeForce RTX 50系列显卡在韩国的价格自2026年8月起上涨，涨幅最高达30%，原因是台积电晶圆成本上升以及内存成本增加。此次涨价涉及显卡成品，与上游芯片制造和存储器件成本传导相关，影响元器件供应链下游终端产品价格。
三星代工接近满负荷运转，但2纳米良率仍是障碍
Samsung Foundry nears full utilization, but 2nm yields remain a hurdle
三星电子的代工业务在2026年下半年可能接近满负荷运转，标志着长期利用率不足拖累盈利后的潜在转折点。但2纳米工艺良率仍是挑战。
2027年DRAM供给持续紧张，英伟达评估下调Rubin Ultra HBM配置关键事件
TrendForce集邦咨询8月4日报告称，DRAM供不应求格局将延续至2027年，原厂HBM4e验证进度存在变量。自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置从HBM4e 12hi改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，尚未定案。部分云端服务供应商也在考虑调整配置。
林德赢得半导体供应协议，将在美国投资10亿美元
Linde wins semiconductor supply deal, to invest $1 billion in US
林德公司宣布赢得一项半导体供应协议，将在美国亚利桑那州凤凰城建设、拥有并运营两套新的SPECTRA空气分离装置及相关基础设施，投资额达10亿美元。该协议涉及为半导体行业供应高纯度气体，将增强当地芯片制造供应链的气体供应能力。
2027 年 DRAM 供给持续紧张，NVIDIA 评估下调 Rubin Ultra HBM 配置关键事件
TrendForce 最新研究显示，DRAM 供不应求格局将延续至 2027 年，原厂 HBM 产能紧张，NVIDIA 正评估下调 Rubin Ultra 的 HBM 配置。该评估涉及芯片供应链中的存储配置调整，可能影响相关元器件需求。
AI 算力需求强劲，辉达 A100 至 B200 租赁价格全面走高关键事件
AI基础设施持续扩张，NVIDIA多款GPU租赁价格近期未因新供应增加而下滑，反而多个世代同步上涨。涉及A100至B200等型号，反映AI算力需求强劲，与元器件供应链中GPU及相关存储、网络芯片的供需紧张相关。
驳 AI 供应链瓶颈疑虑！蔡司强调产能充足、与 ASML 技术蓝图规画至 2040 年
德国蔡司集团反驳市场对AI供应链瓶颈的疑虑，强调其产能充足，并与ASML的技术蓝图规划至2040年。蔡司是ASML光刻系统的关键供应商，其表态旨在缓解市场对半导体设备供应链紧张的担忧。
台系双虎产能瘦身，2028 年重塑 TV、监视器、笔电三大面板供需版图关键事件
台系面板厂加速卖厂转型，从规模战转向聚焦高附加值的精兵政策。TrendForce最新数据显示，台系双虎产能瘦身，预计2028年重塑TV、监视器、笔电三大面板供需版图。
记忆体成本攀升 小米多款手机调涨 300 至 500 人民币关键事件
综合中媒报道，小米自8月2日起调涨多款手机售价，涵盖小米17系列、REDMI K90系列等，涨幅300至500元人民币。此次调价主因是记忆体成本攀升，反映上游存储芯片价格上涨对终端产品价格的传导。
TrendForce：2027年DRAM供应持续紧张，促使英伟达降低Rubin Ultra的HBM配置关键事件
DRAM Supply to Remain Tight in 2027, Prompting NVIDIA to Lower HBM Configurations for Rubin Ultra, Says TrendForce
TrendForce最新研究显示，DRAM供应紧张将持续至2027年，内存供应商HBM4e验证时间表存在不确定性。英伟达因此降低Rubin Ultra的HBM配置。该趋势影响DRAM及HBM供应链，可能导致存储芯片供应短缺和交期延长。
三星电机据报加速菲律宾MLCC工厂投产，以应对AI驱动的涨价潮关键事件
Samsung Electro-Mechanics reportedly fast-tracks Philippine MLCC plant in wake of AI-driven price hikes
三星电机（SEMCO）据报将提前启动其首家海外多层陶瓷电容器（MLCC）工厂，该工厂位于菲律宾。此举凸显了AI驱动的MLCC需求激增及价格上涨。工厂提前投产旨在应对市场供应紧张，满足AI相关应用对MLCC的强劲需求。
台积电2nm月产能将达10万片
据台媒《经济日报》报道，供应链消息显示，在英伟达、AMD、博通等大客户积极追单下，台积电3nm今年底月投片量18万片的目标有望提前于四季度达成。
Alfen与宁德时代将在欧洲部署5 GWh钠离子电池储能系统
Alfen, CATL to deploy 5 GWh sodium-ion BESS in Europe
Alfen与宁德时代（CATL）合作，将在欧洲部署5 GWh钠离子电池储能系统（BESS）。该举措使Alfen能够多元化其电池材料组合，优化储能产品成本结构，并增强抵御锂价波动的能力。
台湾特种化学品公司因AI材料热潮扩大台湾和中国大陆产能，预计2026年营收增长20%
Taiwan specialty chemical firm expands Taiwan, China capacity on AI materials boom, eyes 20% revenue gain in 2026
台湾特种化学品供应商Johnson Fine Chemical预计，受AI、高性能计算和先进通信应用推动，电子材料需求强劲增长。该公司正在扩大台湾和中国大陆的产能，并预计2026年营收增长20%。
台积电2nm工艺今年底月产能或突破10万片晶圆
台积电2nm工艺产能规划：英伟达、AMD等AI客户需求激增，推动其调整产能，目标2026年底月产10万片2nm晶圆。
关键材料短缺促使供应商优先考虑三类客户群体关键事件
Key material shortages prompt suppliers to prioritize three customer groups
台湾中华经济研究院于8月3日发布2026年7月台湾制造业PMI。报告显示，关键材料短缺导致供应商优先考虑三类客户群体。该指数反映制造业景气，与电子元器件供应链相关，因材料短缺可能影响元器件生产与交付。
2027年内存产能据报道已售罄，买家悄然锁定供应关键事件
2027 memory capacity reportedly sold out as buyers quietly lock in supply
行业消息称，内存供应紧张预计持续至2027年，制造商已基本完成明年的产能分配谈判。买家已锁定产能，导致2027年产能售罄。此消息反映内存市场供需紧张，影响元器件供应链的供应稳定性。
存储芯片价格7月创新高，预计Q3再上涨20%关键事件
存储芯片价格7月创新高，DRAM和NAND闪存价格受供应紧张和需求增长推动上涨。预计第三季度合约价再涨20%，但涨幅放缓。
专访：材料成本上涨与FOUP短缺威胁半导体供应链关键事件
Interview: Rising material costs and FOUP shortages threaten semiconductor supply chains
崇越科技高级CEO Dennis Chen表示，2026年AI驱动的需求、新晶圆厂建设以及冲突导致的原材料通胀共同挤压半导体供应商。材料成本上升和FOUP（前开式晶圆传送盒）短缺威胁供应链。
7月大宗DRAM价格再创历史新高关键事件
Commodity DRAM Prices Hit Another Record High in July
据DRAMeXchange 8月3日数据，7月大宗DRAM和NAND闪存价格创下新高，延续了因供应紧张和持续需求推动的涨势。
AI与新能源双轮驱动，MLCC产业迎来结构性增长机遇关键事件
2026年7月，MLCC行业处于AI驱动的结构性涨价周期上行中段。日韩头部厂商产能向AI高端产品倾斜，导致普通高容MLCC出现10%以上供给缺口。AI算力硬件集中投产与800V高压新能源车持续渗透，形成长期增量需求。