Sandisk 本季营收预估稍不如华尔街预期、盘后摔
Sandisk Corp. 公布本季(7-9月)财测,营收预估略低于华尔街预期,盘后股价下跌。该公司为快闪记忆体模组供应商,其财测反映市场需求及价格变化,对存储元器件供应链有直接影响。
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Sandisk Corp. 公布本季(7-9月)财测,营收预估略低于华尔街预期,盘后股价下跌。该公司为快闪记忆体模组供应商,其财测反映市场需求及价格变化,对存储元器件供应链有直接影响。
华邦电于6日召开2026年第二季法人说明会,公布财务业绩。受惠于AI应用强劲需求,第二季获利创新高,记忆体毛利率突破70%,带动上半年EPS达7.65元。
特斯拉与SpaceX执行长马斯克在4日财报会议宣布,SpaceX的AI基础设施将独家采用辉达(NVIDIA)晶片,此举导致AMD股价受挫。AMD执行长苏姿丰对此淡定回应。
Farnell与RIGOL Technologies签署分销协议,使EMEA地区客户更易获得高性能测试测量设备。该协议将帮助设计工程师获取相关产品。
Indofast Energy与Zeon合作,将在Zeon位于班加罗尔等南印度地区的高端商场、地铁停车场和商业中心的充电站点部署其快速换电站(QIS)。该合作旨在扩大电池更换服务网络,涉及电动汽车充电基础设施,与元器件供应链关联有限。
被动元件导电浆料供应商Ample Electronic表示,人工智能需求强劲推动多层陶瓷电容器市场火热,带动客户需求,7月销售额创下纪录。该公司为被动元件供应链上游材料商,其业绩反映MLCC市场景气度。
TE Connectivity 宣布收购总部位于新泽西的电源解决方案供应商 Astrodyne。Astrodyne 以工程专长和与客户紧密合作为特点,服务于半导体制造设备等下一代技术领域。此次收购将扩大 TE 在电源解决方案领域的业务。
谱瑞(Parade)表示,其2026年第二季度业绩受到后端测试和封装成本突然增加的挤压,但这家高速接口芯片设计公司对未来的需求仍充满信心。
诺基亚宣布收购恩智浦位于美国亚利桑那州的半导体工厂,用于生产磷化铟(InP)光芯片,计划2027年初启动量产,以应对AI数据中心高速光通信需求增长。该工厂将支持光通信芯片的本地化生产,与元器件供应链相关。
太阳诱电因第一季度业绩强劲而上调全年展望,AI服务器及相关IT基础设施需求日益推动高端电容器销售。该公司预计AI相关需求将持续增长,并计划扩大产能以满足需求。
8月5日,顺络电子公告称,株式会社村田制作所因不服上海知识产权法院一审判决,已向最高人民法院提起上诉,两起侵害发明专利权纠纷案件进入二审程序。
8月5日,鸿远电子发布2026年度简易程序定增预案,拟募资不超3亿元,用于多层片式瓷介电容器及可调电容器产业化技改项目、微纳系统封装管壳产业化项目及补充流动资金。
DB HiTek于8月5日公布第二季度合并营收4145亿韩元,同比增长23%;营业利润增长43%至1052亿韩元,营业利润率提升3个百分点。业绩增长得益于强劲的代工需求。
AMD公布第二季度营收同比增长50%,业绩超出市场预期。公司表示,预计增长将持续至下半年。
鼎通科技发布2026年半年度报告,营收10.29亿元,同比增长31.17%;归母净利润1.84亿元,同比增长59.24%;扣非归母净利润1.75亿元,同比增长62.73%;基本每股收益1.32元,同比增长59.04%。业绩增长主要得益于通讯连接器市场需求旺盛,订单量增加。
深圳佰维存储科技股份有限公司与此芯科技集团有限公司签署合作协议,共同建立联合实验室,聚焦智能体CPU存算协同技术。该合作涉及存储与计算芯片的协同设计,可能影响未来相关产品的供应链布局。
SpaceX上市后首场财报法说会上,CEO马斯克宣布未来SpaceX的AI基础设施将全面采用英伟达芯片。消息激励英伟达股价周三收盘上涨逾3%,AMD股价下跌逾7%。
8月4日,台系DRAM厂商南亚科技公布2026年7月营收快报。当月自结合并营收达新台币438.68亿元,环比增长49.27%,同比暴涨719.61%;累计1至7月合并营收为新台币1755.04亿元,同比增幅660.87%。
中欣晶圆2026年上半年营收12.34亿元,同比增长57.69%;归母净利润-2.20亿元,较上年同期-4.52亿元减亏51.25%;扣非净利润-2.71亿元,同比减亏46.83%。营收增长和产能利用率提升带动亏损收窄。
据路透社8月5日报道,三位知情人士称,三星电子和SK海力士正在评估中国中微半导体设备公司(AMEC)的芯片制造设备,以便可能在其中国工厂使用。此举旨在对冲美国收紧出口管制的风险。
闪迪于8月6日宣布,将在2026年未来存储与内存大会(FMS)上展示面向人工智能应用的新一代NAND技术,包括HBF及其他AI推理相关技术。
HanWool Semiconductor于8月6日发布了其基于AI的MLCC后端制造设备战略,重点展示了超声波检测系统及第二代相关设备。该公司专注于多层陶瓷电容器(MLCC)的缺陷检测,旨在提升生产质量。该设备用于MLCC后端制造,与电子元器件供应链中的检测环节相关。
8月5日,长城汽车魏牌CEO赵永坡发布通告,称蓝山车型没有停产,也无停产规划。该车海外市场热销,国内产品更新迭代进行中,计划2026年Q4推出蓝山全新产品,为SUV品类创新突破。
联发科已将其Dimensity Auto Cockpit平台C-X1认证使用英飞凌512 Mb Quad SPI NOR Flash,该产品为车规级NOR Flash存储方案。此认证表明该存储器件已通过联发科平台验证,可用于智能座舱系统,与汽车电子供应链相关。
2026年8月6日,英飞凌与联发科合作,联发科已完成英飞凌车规级512 Mb Quad SPI NOR Flash存储器在其天玑汽车座舱平台C-X1上的认证,为整车厂、Tier-1供应商及设计伙伴提供下一代智能座舱系统支持。
SpaceX 执行长马斯克表示,公司未来 AI 基础设施将全面采用辉达平台,并计划在地面及太空同步部署。SpaceX 计划于明年发射搭载辉达 Vera Rubin 平台的 Starmind AI 卫星。此举显示辉达晶片将应用于太空领域,对其供应链而言,可能带来新的需求。
NEO Semiconductor 由许富菖创立,今日发表 AI 记忆体新技术,施振荣表示该技术为半导体产业带来新可能。
慧荣科技推出全新 MonTitan SSD 参考设计套件(RDK),搭载其 PCIe Gen5 控制器,面向代理型 AI 储存应用。该套件旨在加速企业级 SSD 开发,支援高效能与低延迟需求。慧荣为 NAND 快闪记忆体控制晶片厂商,此举将影响 SSD 控制晶片及相关元件的供应链。
英伟达正加速布局AI-RAN,在中国寻找基站厂商合作开发6G AI基站。已与深圳佳贤通信基于CUDA生态开展合作,样机预计今年年底推出。
富士公司宣布其NXTR和AIMEXR贴片机标准配置可处理尺寸达200 x 200毫米、重量达2.0千克的大型重型元件,适用于AI服务器制造。此能力提升有助于满足AI服务器对大型元件的贴装需求,对元器件供应链中的设备环节有积极影响。
MetaOptics与Elsoft宣布合作,将设计、建造并工业化金属透镜价值链中的关键制造设备,涵盖从研发到大规模生产的环节。该合作旨在推进芯片光学制造工具的发展,涉及半导体制造设备领域。
NEO Semiconductor推出NEO.AI内存平台,旨在缓解AI系统内存受限的全球瓶颈。该平台针对AI内存需求,提供解决方案。公司称其有助于解决AI发展的关键制约因素。此新品与半导体供应链相关,可能影响内存市场供需。
东芝开始出货TXZ+族入门级M4V组工程样品,该组搭载Arm Cortex M4内核,面向系统控制应用。
2026年8月5日,兆易创新针对机器人市场发布两款32位MCU:GD32H77R系列和GD32F50MxxG系列,旨在抢占具身智能机器人规模化落地机遇。
FADU 在 FMS 2026 上公布技术路线图,计划于 2028 年开始供应其第七代固态硬盘(SSD)控制器样品。CEO Nam Yi-hyun 透露了这一规划。该产品为新一代 SSD 控制器,属于存储芯片供应链中的关键部件。
Microchip Technology与Micron在2026年8月4日于加州圣克拉拉举行的FMS 2026(年度存储行业会议)上,联合演示了基于PCIe 6.0的存储系统。该系统结合了Microchip的控制器与Micron的存储产品,展示了新一代接口技术在存储领域的应用。
机器视觉检测系统公司iVisionWorks于8月5日宣布,已开始开发半导体晶圆检测设备。新系统将用于晶圆计量与检测,属于半导体制造设备领域的新产品开发。
三星电子发布了下一代3D内存技术,包括z轴高带宽内存(zHBM)和zNAND-O,旨在加强其在快速增长的AI内存市场的地位。zHBM将内存直接堆叠在AI加速器上,以提升带宽和能效。该原型展示了三星在先进封装和内存架构方面的进展,有望应用于AI芯片供应链。
高通将其骁龙品牌从智能手机应用处理器平台扩展为覆盖PC、可穿戴设备、汽车等多设备的AI平台。该公司正将重点从芯片速度转向AI连接能力。
三星电子公布AI内存技术路线图,押注zHBM与zNAND-O,宣称可突破AI内存墙,实现HBM5性能8倍提升及3D堆叠。该消息来自EE Times报道。
Siborg Systems Inc.宣布其校准证书在Toronto的Navair Technology Inc.续期,并完成新型LCR-Reader-MPB一体化万用表的性能测试。该设备适用于军用与航空航天精密应用,验证其测量精度与可靠性。
台积电正在推进“类EMIB”技术研发,以应对CoWoS封装产能紧张。英特尔EMIB方案已商用,台积电此举旨在对标英特尔,争夺AI芯片封装市场。
北京理工大学沈国震、王卓然团队在《Nature Communications》发表研究论文,题为“A capacitive photodiode for analogue and digital Processing”,报道了模拟-数字双模融合的光电感算器件。该研究属于新型元器件领域,与光电探测及感算一体芯片相关。
丰田汽车8月4日宣布,将于2027至2028年度启动混合动力车新一代电池的量产,并计划在日本国内对60万辆规模的混动车电池生产线进行更新换代。丰田希望通过采用性能更高、成本更低的新一代电池,进一步提升混动车型的市场竞争力。据透露,与现有产品相比,每辆新车搭载的新电池成本可降低数万日元。
兆易创新发布GD32F50MxxG系列高集成电机控制MCU,面向人形机器人、协作机械臂、灵巧手。产品采用MCU合封自研模拟芯片方案,单芯片集成三相栅极驱动器与4路高带宽低温漂轨到轨运算放大器,具备252MHz Cortex-M33算力、极致集成度、小型化封装、全方位功能安全保障等优势,旨在解决机器人关节多芯片分立问题。
Memory Protection Devices首席执行官Daniel B Lynch Sr强调,在仪表板、照明系统等应用中,高质量的12V元器件对于提供可靠、安全的汽车电源连接至关重要。
记忆体与储存技术大会在矽谷举行,台厂供应链华邦电、旺宏等厂商参展。资深产业分析师克雷默受访指出,AI不是泡沫,记忆体类股长线叙事未变,台湾为关键一环。
台湾学界与台积电研究部门合作,透过磊晶介面工程突破二维半导体关键瓶颈。传统矽半导体技术逼近物理极限,二维半导体因极薄特性被视为下一代材料。此合作聚焦于解决二维半导体制程中的技术障碍,可能影响未来先进制程发展。
国安基金第九次护盘已于5月6日全数出清持股,揭露明细显示共买进八档个股,其中台积电贡献获利77亿元最多,为史上最长护盘纪录。
太阳诱电上修全年营业利益预估值,增幅达50%。该公司为全球第三大MLCC制造商,其第一季净利表现略低于市场预期。此举反映被动元件市场需求与价格走势,对MLCC供应链及相关元器件价格具有指标意义。
据行业报告,2026年第二季度全球智能手机应用处理器(AP)行业面临2纳米制程及内存成本上升的压力,预计将影响第三季度出货量。具体厂商及型号未提及,但成本因素对供应链构成挑战。
AMD在第二季度财报电话会议上表示,预计2027年数据中心业务营收将增长一倍以上,因AI基础设施需求持续加速。该公司未提供具体数字。此消息反映AI芯片需求强劲,可能影响相关元器件供应链。
SpaceX首次发布季度财报,显示Starlink扩张进入硬件密集阶段,强化了稳懋半导体对卫星驱动GaN需求的预期。GaN用于卫星通信的功率放大器,稳懋作为代工厂,其产能和订单或受此影响。
8月5日,西部数据(WD)公布2026财年第四季度财报,业绩创纪录,凸显AI建设对硬盘驱动器(HDD)市场的重塑。高容量驱动器需求强劲,推动公司营收与利润增长。
ECIA于2026年8月5日发布通讯,CEO致辞展望九月行业活动,提及电子元器件行业进入繁忙季节。
据《商业内幕》8月4日报道,英伟达最大的竞争优势已不再像过去那样牢不可破。报道未提及具体事件或数据,仅指出其护城河面临挑战。
Sager Electronics 供应商营销与产品管理总监 Pamela Berigan 表示,成功的电动汽车充电项目依赖于平衡的采购策略。随着电动汽车普及加速,采购继电器和接触器需考虑供应链稳定性。
Shinheung SEC是三星SDI的关键供应商,因AI用电池备份单元(BBU)需求旺盛,正将圆柱电池组件产能提高20%。此举旨在缓解三星SDI圆柱电池短缺问题。
乐天能源材料计划于今年年底前使其马来西亚电池铜箔制造业务达到满产。该公司公布第二季度营收为194(原文未给出完整数字)。
市场传出,台积电为苹果全力拉升N2(2纳米)制程产能,如今却因DRAM短缺,导致约10亿美元的苹果处理器待封装。
Netlist与三星就专利纠纷达成和解,并签署新协议。三星将获得Netlist全部专利组合的访问权,包括服务器DIMM和高带宽内存技术。三星将向Netlist供应DRAM。
苹果近年持续透过供应链议价控制硬体成本,但最新消息显示,这次在记忆体采购上恐怕碰上硬钉子。据韩国媒体报导,长鑫存储拒绝降价,苹果压价未果。此事件涉及记忆体供应商与苹果之间的价格谈判,可能影响记忆体市场价格走势及供应链成本。
8月5日,独立科技记者Tim Culpan爆料,台积电为应对苹果A20 Pro处理器需求,正全力拉升N2(2nm)产能,但因DRAM短缺,堆积了价值10亿美元的苹果处理器,需等待DRAM到货后才能完成封装。
苹果及其制造伙伴正急于确保移动DRAM供应,以应对iPhone 18系列的预期发布。据报道,价值约10亿美元的下一代处理器仍在等待封装。此举凸显了苹果对存储芯片供应的担忧,可能影响其新款手机的发布计划。
三星电子与Netlist达成一系列协议,了结多年诉讼,并恢复商业关系。三星将在五年内向Netlist支付最高8.97亿美元的许可费。该协议涉及存储专利,与内存芯片供应链相关。
利基型内存市场供应严重短缺,钰创科技(ESMT)受益。7月营收环比增长40%,创月度纪录,并延续增长势头。
8月6日,华为数据存储产品线副总裁吴俊杰在2026华为数据存储用户精英论坛期间表示,全球存储颗粒价格上涨已对行业及华为业务战略造成影响,本年度业内多家企业已多次调价。华为已与全球客户、合作伙伴就涨价影响及时间节点完成沟通,并确认可稳定保障存储产品供应。
市场消息称,台积电为苹果全力拉升N2(2nm)制程产能,但因DRAM短缺,只能手握价值10亿美元的苹果芯片,等待DRAM到货后才能完成封装。
液化空气集团宣布投资1.5亿美元,在美国爱达荷州建设半导体气体生产设施,计划于2028年投产,将供应超纯氮气、氧气和氩气,用于先进存储芯片制造。
台积电(TSMC)正将CoWoS先进封装中的CoW(chip-on-wafer)阶段更多外包给外包半导体封装测试(OSAT)供应商,以应对AI芯片封装产能瓶颈。此举旨在扩大CoW产能,缓解持续存在的封装瓶颈。
菱电电控公告拟投资6亿元在武汉东西湖区建设新能源电控产业园扩产扩建项目,分两期,一期投资3亿元,建设期2年,建成后全面投产,投产后2年内达产,主要建设喷油器等产品生产线,新建1栋2层厂房,总建筑面积约24,000平方米。
三星电子代工部门正加大5nm工艺销售力度,其更先进的4nm产能预计至2027年保持满载,受HBM4基片生产及英伟达订单驱动。
苹果试图利用中国长鑫存储(CXMT)作为与三星电子和SK海力士谈判的筹码,但据报该策略因DUV光刻机限制而适得其反。两家韩国芯片制造商现在拥有更强而非更弱的议价地位。此事件影响DRAM供应链的谈判格局,可能影响苹果的采购成本与供应稳定性。
台湾环球晶圆公司正式承认硅晶圆市场供应短缺加剧,预示晶圆价格可能上涨,需求来自人工智能领域。
海驰科技(Haechitech)今年将开始向一家韩国主要存储制造商供应企业级固态硬盘(eSSD)用温度传感器集成电路(IC),标志着其进入该市场。
Netlist宣布与三星电子达成五年内存芯片专利授权协议,授权其专利,使Netlist获得三星产品使用权,并结束两家公司间长达数年的法律纠纷。
环球晶指出硅晶圆市场供应短缺日益严重,随着人工智能和先进半导体应用需求加速增长,晶圆价格可能上涨。
南亚科宣布4年内投入上限3466亿元新台币建设5A新厂,导入EUV设备生产10nm级DRAM,月产能目标4.5万片,预计2027年下半年投片。
闪迪2026财年收官,营收、毛利率和每股收益均创纪录。投资者更关注其未来业务有多少已锁定在长期供应协议中。该公司正押注AI驱动的NAND超级周期,通过多年期供应协议确保需求。
闪迪于8月5日公布2026财年第四季度及全年业绩,显示AI需求重塑NAND闪存业务。公司数据中心业务转型推动创纪录季度表现,AI驱动的NAND短缺正在重塑存储市场格局。
据韩国《朝鲜日报》8月5日报道,三星电子晶圆代工业务预计2026年下半年产能利用率将达100%。目前利用率约70%-80%,但基于接单余额和合约进展,业界普遍认为年底达成100%已成定局。
8月4日,马斯克在财报会议上宣布,SpaceX未来AI基础设施将独家采用英伟达芯片与技术。AMD CEO苏姿丰对此回应。此举影响AI芯片供应链格局,英伟达获得重要客户,AMD面临竞争压力。
英特尔位于俄亥俄州新奥尔巴尼的Ohio One晶圆厂项目进入“超速”阶段,旨在加快施工。当地招聘信息显示,国际兄弟工会的招聘活动增多,表明项目正加速推进。英特尔还考虑引入外部合作伙伴。该工厂是英特尔在美国的重要制造基地,其建设进度影响未来芯片产能供应。
2026年下半年,全球智能手机市场因内存短缺导致出货受限,苹果等厂商受影响。中国品牌转而以AI升级为卖点。短缺源于存储芯片供应紧张,影响手机生产与交付,与元器件供应链直接相关。
三星电子和美光科技因传统DRAM和NAND价格上涨而受益,SK海力士因专注于高带宽存储器(HBM)而扩张放缓,市场份额下滑。
Fositek表示,2026年第二季度AI驱动需求使其服务器相关产品营收占比提升至56%,并改善了盈利能力,尽管整体销售额下降。公司计划进行产能扩张。
环球晶圆表示,随着AI和高性能计算应用扩展,半导体需求已回升,其工厂稼动率保持高位,并促使新一轮长期供应协议谈判启动。该公司未透露具体产能数字或协议细节。
7月存储芯片合约价再创新高,DRAM月涨14%,NAND连涨19个月。供应短缺推动价格,供应商将产能集中于高层数3D NAND及先进制程,导致SLC NAND供应短缺加剧,7月均价环比大涨35%至51%。MLC NAND涨幅控制在4%至8%,因下游客户对成本敏感。
据日经亚洲8月4日报道,在AI基础设施需求引发内存芯片短缺的背景下,PC大厂惠普、华硕和宏碁已开始采用长鑫存储的内存芯片。