韩国5000亿韩元SiC功率半导体研发项目停滞,大企业犹豫不决
韩国政府推动的5000亿韩元SiC功率半导体研发项目进展停滞,因主要企业犹豫不决。该项目旨在培育下一代功率半导体产业,但缺乏企业参与。
韩国政府推动的5000亿韩元SiC功率半导体研发项目进展停滞,因主要企业犹豫不决。该项目旨在培育下一代功率半导体产业,但缺乏企业参与。
崇越科技高级CEO Dennis Chen表示,2026年AI驱动的需求、新晶圆厂建设以及冲突导致的原材料通胀共同挤压半导体供应商。材料成本上升和FOUP(前开式晶圆传送盒)短缺威胁供应链。
中国长鑫存储(CXMT)母公司长鑫存储技术上市后引发市场关注,市场对其未来估值估计在1600亿至1.1万亿美元之间。此举加剧了全球内存市场竞争,并引发对DRAM价格走势的担忧。
8月3日消息,业内消息显示,中国最大DRAM芯片制造商长鑫存储(CXMT)计划在北京兴建第二座12英寸DRAM晶圆厂。该扩产计划旨在应对AI基础设施建设对DRAM芯片日益增长的市场需求,并提升其全球市场地位。
美国半导体公司MaxLinear推出名为Panther的硬件加速器,用于压缩AI数据,提高内存和存储资源利用率。该产品旨在解决AI工作负载中的内存瓶颈问题。
据DRAMeXchange 8月3日数据,7月大宗DRAM和NAND闪存价格创下新高,延续了因供应紧张和持续需求推动的涨势。
OCI公司准备通过与一家日本专业公司合作进入半导体晶圆再生业务。作为该计划的一部分,OCI计划将OCI Specialty的工厂改造为晶圆再生设施。此举旨在拓展半导体材料相关业务,与供应链中的晶圆再利用环节相关联。
YEST于8月3日宣布,已首次出货配备125片晶圆腔室的高压氢气退火(HPA)系统。HPA设备用于修复半导体硅片表面缺陷。
闪迪与SK海力士通过开放计算项目发布了高带宽闪存(HBF)技术规范,旨在推动AI内存标准发展。该规范可能影响全球未来AI基础设施的构建。此举涉及两家存储芯片厂商,与AI服务器及存储供应链相关。
2026年8月4日,SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存(HBF)的首个标准规范。该规范针对下一代存储技术,旨在提升存储带宽与性能。此举将影响存储芯片供应链,相关产品与标准或推动新应用落地。
长江存储(YMTC)否认美国专利商标局(USPTO)无效其一项核心3D NAND专利全部19项权利要求的说法,称相关报道“严重误导”。该公司与美光(Micron)在全球范围内存在3D NAND专利纠纷。此事件涉及存储芯片专利诉讼,可能影响相关元器件供应链。
澜起科技宣布其业界首款CXL 3.2内存扩展控制器已开始试产,该产品面向AI和云数据中心日益增长的内存容量与池化需求。三星和SK海力士表示支持。此控制器有望提升内存扩展效率,对服务器内存供应链产生影响。
ChipAgents是一家成立两年的初创公司,为芯片设计和验证构建自主AI代理。该公司在A2轮融资中额外筹集了6000万美元,使A轮融资总额达到1.34亿美元。美光和联发科参与了本轮投资。
SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存(HBF)首个标准规范,定义8层和16层NAND堆叠配置,最高支持512GB容量,带宽覆盖0.4TB/s至3.0TB/s,采用UCIe互联接口。该技术面向AI存储解决方案,在FMS 2026上展示。
2026年7月,MLCC行业处于AI驱动的结构性涨价周期上行中段。日韩头部厂商产能向AI高端产品倾斜,导致普通高容MLCC出现10%以上供给缺口。AI算力硬件集中投产与800V高压新能源车持续渗透,形成长期增量需求。
中国存储芯片厂商长鑫存储拟在北京亦庄建设第二座12英寸DRAM晶圆厂,以推进产能扩张。公司已与科技制造产业平台展开融资洽谈,项目仍处于早期讨论阶段。
美国芯片大厂博通试图暂停欧盟反垄断主管机关调阅美国法律文件,但遭欧盟法院驳回。欧盟普通法院裁定支持欧盟执委会的调查权限。此案与博通2023年收购VMware有关。
英特尔EMIB-T先进封装技术良率已突破九成,预计明年量产,成本仅为台积电CoWoS的一半,已拿下联发科订单,博通、Meta等也在评估采用。
瑞萨推出第三代DDR5 MRDIMM,带宽达16,000 MT/s,旨在解决AI内存瓶颈,无需平台大改。该产品面向AI应用,与元器件供应链相关。
北京君正8月3日在投资者互动平台表示正积极寻求更多代工资源,已与多家晶圆厂、封测代工厂合作,DRAM供应合作方包括力积电及三家未公开代工厂。公司正推进H股发行,2026年6月已获证监会备案。截至发稿,公司市值575.56亿元,股价较前一日跌6.16%。
Dawn Aerospace 是一家新西兰-荷兰公司,获得 2500 万美元 B 轮融资,用于全球扩张,扩大在美国和欧洲的商业和运营团队,以支持其不断增长的国际业务。
MLCC市场出现全线调涨,涨幅达30%,提价风暴愈演愈烈。AI狂潮带动需求,单机柜用量增加,产业链受波及。
8月3日,全球最火内存ETF纳入长鑫科技。一博科技净利润暴增1561%。三安光电子公司需补税8640万元。集微舆情算法显示,上市企业热度前20包括长鑫科技、中微公司、一博科技、通富微电、澜起科技、兆易创新、寒武纪、三安光电、北方华创等。
ESCATEC在英国投资扩大先进SMT能力,以提升生产效率和灵活性,并增强其支持英国医疗制造项目的能力。
L&T与TenneT签订合同,涉及荷兰IJmuiden Ver Alpha和Nederwiek 1两个在建项目,以及两个新项目,总容量2吉瓦。该合同属于海上风电基础设施,与元器件供应链关联有限,但可能涉及电力设备需求。
据日经亚洲报道,主要存储供应商因美国科技公司AI相关需求加速而增加资本支出,但铠侠(Kioxia)保持相对紧缩的投资,以捍卫其在NAND领域的领先地位。
台湾领先的面板制造商正加速工厂剥离,从追求生产规模转向聚焦高附加值产品的战略。TrendForce预计,此举将重塑电视、显示器及笔记本面板的供应格局,至2028年。
SK集团与英伟达宣布扩大合作,计划投资5000亿美元,加速大规模AI基础设施建设,涵盖主权AI、物理AI、代理式AI及企业AI服务,并共同应对相关挑战。该合作涉及AI工厂及存储领域,对半导体供应链有潜在影响。
长鑫存储技术有限公司近日发生工商变更,注册资本由约238.9亿人民币增至约313.9亿人民币,增幅约31%。该公司成立于2017年11月,法定代表人为吴丽影,经营范围含集成电路设计、芯片制造等,由长鑫科技集团股份有限公司全资持股。
2026年以来,消费电子市场因存储芯片涨价而全面涨价,OPPO、vivo、苹果、微软等品牌调价,中端手机提价300至1000元,部分数码产品涨幅超3000元。AI算力需求虹吸先进存储产能,存储厂商将产能转向AI存储,消费级供给收缩,存储价格暴涨传导至终端。
长鑫存储直接切入LPDDR6新一代标准周期,与韩国存储厂商站在同一条量产起跑线,将过去数年的代差压缩为数月时间差。此前LPDDR4至LPDDR5X四代移动内存的首发权、工艺标准及高端客户订单长期由韩国双雄与美光掌握,国产DRAM始终慢一代追赶。LPDDR6竞速关乎端侧AI话语权、定价权与生态卡位。
华丰科技8月3日在投资者互动平台表示,高速背板连接器等产品需求旺盛,产能利用率较高。头部国产AI服务器核心项目产品将于今年四季度至明年起逐步批量交付。公司预计AI相关业务2025年营收占比近30%。截至发稿,公司市值595.43亿元,股价较前一日跌7.79%。
长电科技获批设立新加坡海外财资中心,并同步上线海外司库管理平台。此举旨在优化全球资金统筹,降低资金成本,强化全球化财务支撑与风险管控。
济南大学周伟家教授团队在InfoMat期刊发表研究,利用聚焦脉冲激光处理铌酸锂晶圆,诱导表面等离子体使晶格氧逸出,形成氧空位结构,增强电荷传输与收集,提升热释电电压,为热释电传感器材料性能改进提供新思路。
7月31日,TDK公布上季(2026年4-6月)财报,因MLCC等被动元件需求旺盛,HDD用零件需求上涨,叠加日元贬值,净利润同比大涨94.4%,远超市场预期。
村田制作所上季订单创纪录,BB值连续7个季度高于1,创历史新高。因AI服务器MLCC需求强劲,村田上修财测,预计营收和获利将创历史新高。
零关税举措为非洲发展和中非经贸合作注入强劲动力。
英特尔为加班工作提供奖金,以加快俄亥俄州晶圆厂综合体建设,目标2031年完工。同时,公司在下一代EMIB-T封装技术上取得进展,良率达到90%。
TDK上季纯益暴增约9成,远优于市场预期,主要受MLCC等被动元件需求旺盛带动。公司股价今日逆势大涨。
全球MLCC龙头村田制作所因AI服务器用MLCC需求强劲,订单破纪录,BB值创高,上修财测。
8月3日午盘,晶圆代工板块普跌,长鑫科技逆势涨2.71%,板块近3日累计跌幅超10%。板块走弱系存量资金获利了结,行业2026年仍有高景气及涨价预期。
MIRTEC 在德克萨斯州达拉斯开设新的销售与演示中心,将展示其先进检测产品组合,包括 3D AOI 和 3D SPI 系统,旨在帮助制造商提高质量、增加产量并优化工艺。
全球存储器供应紧张影响消费电子供应链,苹果MacBook Air严重缺货,多个配置发货延迟至8月底或9月初。苹果已提高部分Mac产品价格100至400美元,并考虑在中国市场采购本土存储器以缓解供应压力。
SK海力士计划于2026年下半年启动LPDDR6量产出货,小米旗舰有望首发。该公司已于今年3月获得全球首个产品开发认证,目前正进行产线调试与工艺优化,为大规模量产做准备。
长鑫存储(CXMT)接近完成LPDDR6研发验证,即将量产下一代移动DRAM,与三星电子、SK海力士竞争加剧。
Incap报告2026年1月至6月营收1.302亿欧元,同比增长21.1%;2026年第二季度营收7420万欧元,同比增长。
芯华章科技与联芸科技达成合作,基于桦捷HuaPro P2E双模验证平台,为联芸科技存储主控芯片研发提供定制化可信验证方案。
英特尔加速推进俄亥俄州约1000英亩晶圆厂园区建设,目标2031年前实现14A工艺大规模量产。同时,EMIB-T先进封装良率已接近90%,成本约为台积电CoWoS方案的50%,计划2027年实现规模化供应。
英特尔与Lens宣布合作,双方将利用各自在先进半导体封装、精密制造、玻璃基板研发及工艺创新方面的优势,以支持AI领域日益增长的需求。此次合作涉及技术研发与制造能力整合,旨在提升封装技术水平,对半导体供应链中的封装环节具有潜在影响。
7月31日,林德宣布获得长期协议,将向台积电位于亚利桑那州凤凰城的晶圆厂供应超高纯度工业气体,以支持其扩产。为此,林德将投资10亿美元扩建凤凰城现有气体基地,连同子公司总投资达18亿美元。此举旨在满足半导体制造对工业气体的需求,与芯片产能扩张直接相关。