南亚科 DRAM 大投资 5A 新厂上限 3,466 亿元，冲刺先进制程竞赛
台塑集团旗下DRAM厂南亚科宣布调高今年资本支出至697亿元，调幅34%，并计划投资新建5A厂，投资上限达3,466亿元，以冲刺先进制程。此举显示其扩产意图，将影响DRAM市场供应。
全部时间线
2026-08-07
南亚科今年资本支出升至 697 亿元，加强 5A 新厂产能建置
南亚科公告董事会决议，扩大5A新厂投资计划，并将今年资本支出提升至697亿元，以加强新厂产能建置。同时，公司亦调整资本支出、增资海外子公司及处分相关资产。此举显示南亚科积极扩充DRAM产能，将影响后续市场供应。
佰维存储与华工科技签署战略合作协议，共建“存算运”一体化解决方案
8月6日，佰维存储与华工科技签署战略合作协议，围绕“AI存储+计算+光互联”融合领域，整合优势资源，构建互利共赢、可持续发展的战略合作伙伴关系。
SpaceX和特斯拉将初步投入168亿美元建设得州芯片工厂
SpaceX, Tesla to initially spend $16.8 billion on Texas chip plant
SpaceX和特斯拉将初步投入168亿美元，在得克萨斯州Grimes县建设垂直整合半导体工厂Terafab。该工厂制造空间超1亿平方英尺，将雇用至少3000人。此举涉及芯片制造产能扩张，与元器件供应链相关。
清纯半导体再获国际一流车企SiC MOSFET量产定点
清纯半导体近日获得国际一流车企海外新能源车主驱SiC MOSFET量产项目定点，将推进产品上车导入，计划2028年起批量供货。此前已于2024年获研发定点、2025年获海外车型量产定点，预计2027年启动交付。
投资54万亿韩元！SK海力士将扩建韩国芯片工厂
SK海力士于8月7日宣布，计划投资54万亿韩元扩建其位于韩国的芯片工厂。该投资将用于扩大产能，以满足未来需求。此举将增加半导体产能，对供应链产生影响。
SK海力士投资54万亿韩元建设龙仁Y2与清州M17晶圆厂，全面应对AI时代存储器需求
SK海力士于2026年8月7日在韩国首尔宣布，将投资54万亿韩元在龙仁建设Y2晶圆厂，并在清州建设M17晶圆厂，以应对AI时代存储器需求的持续增长。此举将扩大其存储芯片产能，对供应链产生重要影响。
HBM供应紧张，英伟达据称考虑降低Rubin Ultra GPU存储器配置关键事件
英伟达因HBM供应紧张，正评估调整Rubin Ultra GPU的HBM配置，考虑推出较低存储器容量版本以降低量产压力。此举反映HBM供需失衡，可能影响高端GPU供应。
泰雷兹阿莱尼亚航天公司将开发PRISMA任务卫星
Thales Alenia Space to develop satellite for PRISMA mission
泰雷兹阿莱尼亚航天公司将负责开发PRISMA任务的卫星。该工业联合体由OHB Italia牵头，负责任务和端到端系统活动。此项目涉及卫星制造，与元器件供应链相关，但具体元器件细节未披露。
SK海力士投资54万亿韩元建设龙仁Y2与清州M17晶圆厂
2026年8月7日，SK海力士宣布将在韩国龙仁和清州新建晶圆厂，投资总额54万亿韩元。龙仁厂区将建设Y2工厂，清州将建设M17工厂，以应对AI时代持续增长的存储器需求。此举将扩大其DRAM和NAND产能，对存储芯片供应链的长期供给能力产生重要影响。
闪迪披露最新财季财报，敲定8份NBM长期供货协议
闪迪在最新财季财报会上披露，已与8家覆盖数据中心、边缘赛道的客户达成NBM长期供货协议。财报显示相关财务数据。该协议涉及存储产品供应，与元器件供应链关联紧密。
南亚科上调本年度资本开支规划，新建厂区布局下一代DRAM工艺
存储厂商南亚科近日公布最新资本开支规划，将本年度资本支出规模从此前计划的520亿新台币上调至697亿新台币，并新建厂区布局下一代DRAM工艺。此举涉及产能扩张，与存储芯片供应链相关。
SK海力士承诺投资390亿美元建设龙仁和清州新厂，AI内存需求增长
SK Hynix commits US$39 billion to new Yongin and Cheongju fabs as AI memory demand builds
SK海力士批准约54万亿韩元（约390亿美元）用于韩国两处新厂建设，其中35.2万亿韩元投向龙仁第二工厂，19.1万亿韩元用于清州新厂。此举旨在应对AI内存需求增长。该投资将扩大存储芯片产能，影响供应链。
内存紧缺影响处理器出货，台积电可通过产线动态调整应对关键事件
独立科技记者Tim Culpan爆料，因DRAM严重短缺，台积电堆积了价值10亿美元的苹果处理器，需等待DRAM到货才能完成封装。台经院产经数据库总监刘佩真表示，DRAM缺货潮可能影响先进制程和先进封装交货节奏，但台积电可通过产线动态调整应对。
净利狂飙256倍！华邦电子：客户抢订2030年存储产能！关键事件
8月6日，中国台湾存储芯片厂商华邦电子举行2026年第二季度投资者说明会。受AI推动的存储需求与价格上涨影响，上半年业绩创近年新高，净利同比狂增256倍。公司预计下半年DRAM和Flash市场增长，产能利用率约100%，利润逐季增长。总经理陈培明称2027年市场将更紧缺。
AP Memory锁定力成与日月光产能，备战2027年IPD量产关键事件
AP Memory secures PSMC, ASE capacity ahead of 2027 IPD ramp
存储IC设计公司AP Memory公布第二季度营收和利润增长，并预计2026年起进入新增长周期，受IoTRAM需求持续扩张和快速增长的推动。该公司已确保与力成（PSMC）和日月光（ASE）的产能，为2027年IPD（集成无源器件）的量产做准备。
旭化成与高化学合作生产销售Acetolyte
Asahi Kasei partners with HighChem for production, sale of Acetolyte
旭化成与高化学签署许可协议，授权高化学上海非独家生产并销售旭化成新型电解液技术产品Acetolyte，面向中国市场。这是旭化成该技术在中国的首个许可协议。该合作涉及电子材料供应链，可能影响电解液供应格局。
SpaceX与特斯拉Terafab芯片厂破土动工，168亿美元投资布局逻辑与存储制造
SpaceX与特斯拉的Terafab芯片厂破土动工，投资168亿美元，布局逻辑与存储制造。该工厂将生产逻辑芯片和存储芯片，与元器件供应链直接相关。动工意味着新增产能，但尚未投产。
华邦电子创纪录二季度业绩预示内存市场趋紧及定价权增强关键事件
Winbond's record 2Q points to tighter memory markets and more pricing power ahead
华邦电子公布第二季度营收、利润、毛利率及营业利润率均创纪录，DRAM价格跳涨，需求异常强劲。业绩表明内存市场供应趋紧，公司定价权增强。
2027年产能全部卖光！关键事件
某公司宣布其2027年产能已全部售罄，客户已锁定全部产能。
三大代工厂齐宣涨！成熟制程酝酿第三波涨价关键事件
三大代工厂宣布涨价，成熟制程酝酿第三波涨价。涉及晶圆代工服务，涨价已发生，第三波为预测。
涨价 | 台湾MCU厂商松翰全面涨价关键事件
继盛群（Holtek）宣布产品价格调整后，台湾MCU厂商松翰（Sonix）也正式开启全面调价，意味着台系MCU涨价已从个别厂商扩展至更多厂商。
彩客新能源成立 合资公司布局南方磷酸铁产能 初期规划年产10万吨
8月6日，彩客新能源公告，其间接非全资附属公司山东彩客新材料与紫金锂元订立合资协议，成立合资公司，注册资本9320万元，山东彩客新材料现金出资5126万元，紫金锂元现金出资4194万元。合资公司将租赁紫金锂元年产能约2万吨的现有磷酸铁资产，并扩建升级产线，初期计划将产能提升至年产10万吨。
中国MLCC供应链加速扩产，AI热潮推动全球元器件短缺关键事件
China's MLCC supply chain ramps up as AI boom drives global component shortage
中国MLCC供应链正加速产能扩张，以满足AI服务器和汽车电子激增的需求，该行业正处于强劲增长周期。
英伟达测试精简版Rubin Ultra内存设计，2027年HBM供应存疑关键事件
Nvidia tests leaner Rubin Ultra memory designs with 2027 HBM supply in question
英伟达正在测试其下一代Rubin Ultra GPU的低内存版本，这表明日益严重的HBM短缺正开始影响产品规格。测试涉及2027年HBM供应问题，具体型号为Rubin Ultra。此举与HBM供应链紧张相关，可能影响未来GPU性能与供应。
斥资107亿美元，南亚科技建DRAM新厂
8月5日，DRAM大厂南亚科技召开董事会，宣布将新建一座最高投资上限为3466亿新台币（约107.34亿美元）的5A晶圆厂。这不仅是南亚科技历史上最大的一次投资，也是近20年来台湾DRAM行业最大的单项投资。
记忆体荒连环爆，微星跟进华硕、技嘉，显卡全面飙涨破 20%关键事件
据多家渠道与供应链消息，微星（MSI）已跟进华硕（ASUS）与技嘉（Gigabyte），宣布显卡全面涨价，涨幅超过20%。此次涨价源于内存（存储）供应紧张，波及显卡市场，影响元器件供应链。
华邦电陈沛铭预警：明年记忆体缺货更吃紧，启动高雄新厂扩建关键事件
华邦电总经理陈沛铭在法人说明会预警，AI与高速运算应用拉动半导体需求，明年记忆体缺货将更吃紧，并宣布启动高雄新厂扩建。
台积电3nm出货加速 Q4月冲18万片 2nm拼10万片
美系投行Wedbush报告称，受英伟达、AMD及博通等AI大厂追单，台积电预计今年第4季初将3nm每月投片量提升至18万片，较上半年15万片增长。结合台积电官方2nm增长指引，市场估计2028年2、3nm合计每月产能将突破40万片。
苹果紧急抢购DRAM 距iPhone 18发布仅剩几周关键事件
苹果新机发布在即，存储供应链紧张局面升级。分析师高灿鸣（Tim Culpan）5日爆料，苹果和供应商正在紧急抢购存储芯片，以应对iPhone 18发布前的备货需求。此举加剧了DRAM市场的供应紧张，可能影响其他买家的采购。
三星4nm产能爆满至明年 强推5nm迎中印转单潮
三星电子晶圆代工业务因4nm制程产能接近满载，积极推广5nm制程，吸引国内外无晶圆厂客户采用，开拓新一波代工商机。
华为余承东警告智能手机涨价，内存成本飙升关键事件
Huawei's Richard Yu warns of smartphone price hikes as memory costs soar
华为执行董事、消费者业务集团董事长余承东于8月5日警告称，内存成本急剧上升可能引发智能手机广泛涨价，手机制造商面临压力。
创见警告内存短缺可能持续至2027年关键事件
Transcend warns memory shortage could extend through 2027
台湾存储厂商创见信息表示，全球内存短缺依然严重，2026年改善迹象甚微，短缺可能持续至2027年。上游供应商已采取行动，但产能紧张状况未见缓解。
2026-08-06
为电动汽车充电采购继电器和接触器
Sourcing relays and contactors for EV charging
Sager Electronics 供应商营销与产品管理总监 Pamela Berigan 表示，成功的电动汽车充电项目依赖于平衡的采购策略。随着电动汽车普及加速，采购继电器和接触器需考虑供应链稳定性。
Shinheung SEC将电池组件产量提高20%，以应对三星SDI圆柱电池短缺关键事件
Shinheung SEC to Boost Battery Component Output by 20% Amid Samsung SDI Cylindrical Cell Shortage
Shinheung SEC是三星SDI的关键供应商，因AI用电池备份单元（BBU）需求旺盛，正将圆柱电池组件产能提高20%。此举旨在缓解三星SDI圆柱电池短缺问题。
乐天能源材料今年将使马来西亚铜箔业务满负荷运转
Lotte Energy Materials to Bring Malaysian Copper Foil Operations to Full Capacity This Year
乐天能源材料计划于今年年底前使其马来西亚电池铜箔制造业务达到满产。该公司公布第二季度营收为194（原文未给出完整数字）。
DRAM 短缺、传台积电 10 亿美元苹果处理器待封装关键事件
市场传出，台积电为苹果全力拉升N2（2纳米）制程产能，如今却因DRAM短缺，导致约10亿美元的苹果处理器待封装。
Netlist与三星和解专利纠纷并签署新内存协议
Netlist, Samsung settle patent disputes, sign new memory deal
Netlist与三星就专利纠纷达成和解，并签署新协议。三星将获得Netlist全部专利组合的访问权，包括服务器DIMM和高带宽内存技术。三星将向Netlist供应DRAM。
苹果压价踢铁板，传长鑫存储拒降记忆体报价关键事件
苹果近年持续透过供应链议价控制硬体成本，但最新消息显示，这次在记忆体采购上恐怕碰上硬钉子。据韩国媒体报导，长鑫存储拒绝降价，苹果压价未果。此事件涉及记忆体供应商与苹果之间的价格谈判，可能影响记忆体市场价格走势及供应链成本。
DRAM缺货，10亿美元苹果处理器无法封装！关键事件
8月5日，独立科技记者Tim Culpan爆料，台积电为应对苹果A20 Pro处理器需求，正全力拉升N2（2nm）产能，但因DRAM短缺，堆积了价值10亿美元的苹果处理器，需等待DRAM到货后才能完成封装。
苹果争抢DRAM，价值10亿美元的iPhone 18芯片据报待封装关键事件
Apple scrambles to secure DRAM as US$1 billion worth of iPhone 18 chips reportedly await packaging
苹果及其制造伙伴正急于确保移动DRAM供应，以应对iPhone 18系列的预期发布。据报道，价值约10亿美元的下一代处理器仍在等待封装。此举凸显了苹果对存储芯片供应的担忧，可能影响其新款手机的发布计划。
三星将向Netlist支付最高8.97亿美元以了结存储专利纠纷
Samsung to pay Netlist up to US$897 million to settle memory patent dispute
三星电子与Netlist达成一系列协议，了结多年诉讼，并恢复商业关系。三星将在五年内向Netlist支付最高8.97亿美元的许可费。该协议涉及存储专利，与内存芯片供应链相关。
钰创科技受益于利基型DRAM涨价关键事件
Elite Semiconductor rides niche DRAM price hikes
利基型内存市场供应严重短缺，钰创科技（ESMT）受益。7月营收环比增长40%，创月度纪录，并延续增长势头。
华为数据存储产品线副总裁回应存储颗粒涨价影响关键事件
8月6日，华为数据存储产品线副总裁吴俊杰在2026华为数据存储用户精英论坛期间表示，全球存储颗粒价格上涨已对行业及华为业务战略造成影响，本年度业内多家企业已多次调价。华为已与全球客户、合作伙伴就涨价影响及时间节点完成沟通，并确认可稳定保障存储产品供应。
因DRAM短缺，传台积电堆积10亿美元的苹果2nm芯片待封装关键事件
市场消息称，台积电为苹果全力拉升N2（2nm）制程产能，但因DRAM短缺，只能手握价值10亿美元的苹果芯片，等待DRAM到货后才能完成封装。
液化空气投资1.5亿美元在爱达荷州建设半导体气体工厂
Air Liquide invests $150M in Idaho semiconductor gas plant
液化空气集团宣布投资1.5亿美元，在美国爱达荷州建设半导体气体生产设施，计划于2028年投产，将供应超纯氮气、氧气和氩气，用于先进存储芯片制造。
台积电将更多CoW产能外包给OSAT，AI封装瓶颈持续
TSMC turns to OSATs for more CoW capacity as AI packaging bottleneck persists
台积电（TSMC）正将CoWoS先进封装中的CoW（chip-on-wafer）阶段更多外包给外包半导体封装测试（OSAT）供应商，以应对AI芯片封装产能瓶颈。此举旨在扩大CoW产能，缓解持续存在的封装瓶颈。
菱电电控拟投资6亿元建设新能源电控产业园扩产扩建项目
菱电电控公告拟投资6亿元在武汉东西湖区建设新能源电控产业园扩产扩建项目，分两期，一期投资3亿元，建设期2年，建成后全面投产，投产后2年内达产，主要建设喷油器等产品生产线，新建1栋2层厂房，总建筑面积约24,000平方米。
三星推广5nm工艺，HBM4及英伟达订单推动4nm产线满载
Samsung pitches 5nm as HBM4, Nvidia orders push 4nm lines to full capacity
三星电子代工部门正加大5nm工艺销售力度，其更先进的4nm产能预计至2027年保持满载，受HBM4基片生产及英伟达订单驱动。
苹果借CXMT施压DRAM供应商的策略据报因DUV限制适得其反，三星和SK海力士获得更多议价筹码
Apple's CXMT play reportedly backfires on DUV limits, giving Samsung and SK Hynix more DRAM leverage
苹果试图利用中国长鑫存储（CXMT）作为与三星电子和SK海力士谈判的筹码，但据报该策略因DUV光刻机限制而适得其反。两家韩国芯片制造商现在拥有更强而非更弱的议价地位。此事件影响DRAM供应链的谈判格局，可能影响苹果的采购成本与供应稳定性。