辉达 RTX 5090 显卡飙破 19 万元,中国企业「整板扫货」引发全球大缺货关键事件
辉达(NVIDIA)旗舰显示卡 GeForce RTX 5090 零售价格持续失控,市场报价已从原本水准飙破 19 万元。中国企业以「整板扫货」方式大量采购,引发全球大缺货。
辉达(NVIDIA)旗舰显示卡 GeForce RTX 5090 零售价格持续失控,市场报价已从原本水准飙破 19 万元。中国企业以「整板扫货」方式大量采购,引发全球大缺货。
美光高管表示,新增内存供应要到2028年才开始爬坡,内存缺货状况仍将继续。
英特尔CEO警告,内存短缺状况仍在持续,基础设施瓶颈正在扩散。该表态涉及内存供应紧张及基础设施环节的制约,与元器件供应链的存储器件供给相关。
InoBat与Palmer Energy Technology Ltd(PETL)建立合作,以强化欧洲电池储能系统(BESS)解决方案。InoBat将依托其既有的欧洲布局以及计划中的北美扩张,PETL则发挥其在英国和爱尔兰的市场地位。双方未披露交易金额、产能数字或具体供货安排。
2026年上半年,三星电子(Samsung Electronics)收到的预收款总额增长70.4%。存储供应商与其最大客户日益转向签订多年期协议,以锁定供应。该动向反映存储元器件供应链中长约锁定产能的趋势。
印度东部邦的 Falta 经济特区(SEZ)审批委员会已批准 SiCSem Private Limited 的提案,在布巴内斯瓦尔(Bhubaneswar)附近建设一座碳化硅(SiC)器件一体化工厂。该批准由 Falta 经济特区审批委员会作出,项目位于印度东部地区,涉及 SiC 器件制造产能建设。
Poseidon 完成 6000 万美元融资,资金将用于推动其首架全尺寸飞机完成飞行测试,并建立和扩大公司首条生产线,同时扩充工程与运营团队。该消息涉及无人货运飞机项目,与电子元器件供应链的关联在于其生产线建设可能带来相关元器件需求。
振曜(Netronix)表示,存储价格快速上涨正在挤压消费电子供应链,推高电子书阅读器成本,并拖慢部分电子纸显示项目。即便如此,公司仍预计新显示市场按计划推进。该事件反映存储涨价对元器件下游终端成本与项目进度的传导。
SK海力士正与英特尔洽谈一项潜在交易,该交易可能使这家韩国公司首次在美国拥有存储芯片制造业务。此举背景是供应紧张,客户与政府方面承压。原文未披露交易金额、产能规模、时间表及具体厂址。
英特尔CEO陈立武表示,全球先进芯片制造过度集中于单一晶圆代工厂商存在风险,产业需要推动更多供应商参与竞争;同时英特尔CPU供应紧张,目前只能满足约一半客户需求。
西门子与Battery-NY建立合作,推进电池生产。Battery-NY已在其主要生产设备体系中大范围采用西门子自动化方案,并以西门子电池自动化框架作为标准化参考。该合作涉及电池制造环节的自动化与标准化,与电子元器件供应链中的电池及制造设备环节相关。
据报道,三星电子正在测试美光最先进的1γ LPDDR5X内存,评估用于Galaxy S27系列。此举背景是下一代移动DRAM成本上升,令供应变得复杂。
据报苹果已接受三星电子2027年一季度大幅上调的存储价格,为AI热潮下智能手机的成本给出具体数字。该协议据报达成于苹果相关消息传出仅数日之后。事件涉及苹果与三星电子两家公司,时间指向2027年一季度,涉及存储价格与智能手机成本,与元器件供应链中的存储供应及整机成本直接相关。
据报道,三星电子正把其普通内存模组业务的增长交由越南、印度和菲律宾的外部组装厂承接。此举显示高带宽内存(HBM)已挤占三星后端产能,公司因此将传统内存模组的组装环节外移。原文未披露涉及的具体料号、数量、金额与时间表。该动向关系到内存模组的组装与供应环节,可能影响相关模组在供应链中的产出与分配。
宏禧科技全资子公司安徽宏禧微显科技有限公司的12英寸硅基OLED微型显示模组项目核心设备进场,项目总投资20亿元,时间为9月15日,项目由此进入设备安装调试阶段。
纬颖(Wiwynn)位于美国的第一座制造工厂已正式启动量产,该公司由此改变此前在北美租赁厂房的策略,转为大规模自建投资,并同步扩建美国与墨西哥工厂,目标是到2027年将产能翻倍。此举涉及服务器制造环节的产能布局,与电子元器件及整机供应链相关。
业内消息称,三星电子计划在定制HBM产品中同时采用三星晶圆代工和台积电工艺制造的基底裸片,由此前主要依赖内部供应转向“双轨”模式。
Astera表示,AI基础设施客户开始重新考虑在加速器旁配置多少高带宽内存(HBM),原因是外部内存层级为键值存储提供了新的选择。
9月15日,苹果已接受三星电子2027年一季度的存储芯片报价:DRAM接近2.0美元/Gb,NAND闪存接近0.33美元/Gb,比2026年三季度报价高出30%至40%。截至发稿,苹果官方暂未对该消息作出回应。
高带宽内存(HBM)堆栈底部的逻辑裸片已成为半导体行业新的争夺领域。据报道,SK海力士正考虑与Intel合作,而三星据报已委托台积电代工定制HBM基础裸片。该基础裸片位于HBM堆栈底部,属于存储与逻辑代工交叉环节,涉及三星、台积电、SK海力士与Intel等厂商,与HBM供应链及晶圆代工分工相关。
Taihan Cable & Solution于9月15日表示,正在扩建高压直流(HVDC)海底电缆的生产与安装能力,并建设640kV HVDC海底电缆产能,同时将展示电力基础设施相关产品。该扩产涉及海底电缆这一电子与电力基础设施领域,与元器件供应链中的电力传输环节相关。
外媒报道,苹果已接受三星电子2027年第一季存储报价:DRAM接近每Gb 2美元,NAND接近0.33美元,较今年第三季报价上调30%至40%。涉及苹果与三星电子两家公司,时间点为2027年第一季,涨价幅度为30%至40%。该报价变动直接关系DRAM与NAND存储芯片的采购成本,对存储元器件供应链价格具有参考意义。
日本NAND Flash大厂铠侠近期称存储价格已涨够,但未能撼动市场。苹果传仍接受三星调涨明年首季存储价格,条件较现阶段大涨三至四成,为报价趋势定锚。群联、威刚受惠。
彭博资讯最新分析指出,全球DRAM供应吃紧格局至少延续至2027年,甚至拉长到2029年至2030年,前提是全球云端大厂持续加码AI基建。法人看好南亚科、华邦电后市。
9月15日,多氟多在投资者互动平台表示,公司半导体级氢氟酸现有产能4万吨,产能利用率处于行业合理水平,整体运营稳健,正持续加码芯片上游关键材料布局。该产品已稳定供应台积电、三星等头部厂商,今年以来价格上涨20%-30%,同时公司正布局多条电子化学品产线,完善半导体材料配套能力。
北美电动汽车增长放缓、关税与政策限制,促使汽车制造商和电池供应商将闲置产能转作他用。与此同时,电力需求激增与电网波动带来新的应用场景。该动向涉及汽车与电池供应链的产能重新配置,与电子元器件供应链的关联在于电池及电力电子相关产能的流向变化。
DIGITIMES Insight 报道,SK 海力士据传正考虑将 Intel 作为高带宽存储器(HBM)基础裸片的额外制造来源,从 HBM4E 世代开始,此举可能降低其对台积电的依赖。报道同时指出,在 SK 海力士 HBM 基础裸片业务上,Intel 相对台积电可能缺乏价格优势。
本报讯 (记者 郝颖)9月7日,碳化硅前沿技术分享暨成果发布会在上海举行。由瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司(以下简称“瑶芯微电子”)与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队联合攻关,芯联集成公司协同开展工艺平台开发的全球首款碳化硅
泰雷兹(Thales)与印度KSSL签署协议,涉及70毫米火箭系统。泰雷兹将依托与印度的合作关系,提供其在比利时研发的70毫米火箭及发射器方面的专业能力;KSSL将利用其本地制造与测试设施。
三星天安厂正逐步退出Exynos封装,相关设备转向HBM产线;Exynos 2700移交温阳,弃用FO-WLP、改用SbS架构。Counterpoint数据显示,三星HBM份额环比回升12个百分点至33%。此举为三星以AI存储为轴心重排封装版图的关键落子。
高容量内存短缺加剧之际,十铨科技(Team Group)正积极加深在工业控制市场的布局。副总经理夏绍安指出,随着AI应用加速落地,公司公布边缘AI战略以应对持续上升的价格压力。该动向与内存元器件供应紧张及价格上涨的供应链环境相关。
村田制作所(Murata Manufacturing)正考虑在其现有投资计划之外,对多层陶瓷电容器(MLCC)产能进行新一轮、可能规模更大的扩张。此举源于AI服务器带来的需求预计将延续至2028年以后。原文未披露具体投资金额、产能数字、选址及时间表。该动向与MLCC这一被动元器件品类的供应能力及AI服务器供应链相关。
AI服务器正在重塑全球多层陶瓷电容器(MLCC)市场。Murata Manufacturing与Samsung Electro-Mechanics(SEMCO)正将有限产能转向高价值服务器元件。
三星电子正加快半导体封装布局调整。其天安工厂正逐步停止Exynos移动应用处理器的封装作业,将封装产能重新分配至HBM。此举涉及三星电子及天安工厂,与存储芯片及移动处理器封装供应链相关。
日本TDK计划扩大AI服务器用电子元件生产,未来三年投资约400亿日元(约2.6亿美元),在山梨县工厂投入350亿日元、山形县工厂投入50亿日元,提升薄膜电感产能,以应对AI行业需求。
瑞萨电子年内第二次调价,并将内部库存目标从120天提高到150天,成品、晶圆裸片与原材料储备全面增加。需求越过产能,部分原材料采购趋难,IDM库存策略从精益转向冗余。预防式囤货抬高行业补库周期水位。
2026年9月,全球积层陶瓷电容(MLCC)龙头村田制作所副社长南出雅范接受《日经新闻》专访,判断AI服务器带动的MLCC成长趋势至少将持续至2028年,公司正考虑未来3至5年、可能比以往更加大胆的扩产计划。高盛称MLCC为下一个存储芯片,AI算力正重新定价这一基础元件,被动元件超级周期或重塑全球电子元件产业版图。
韩国企业LS Electric与Bloom Energy签署价值3400万美元的供应合同,将为美国怀俄明州正在开发的一座超大规模数据中心电力基础设施建设项目供应全套关键配电系统。该合同涉及数据中心供电配套设备,与电子元器件供应链中的电力分配环节相关。
近日,海愿资本完成对深格碳源的近千万级独家投资,资金将主要用于该公司中试线建设,加速高端超级电容炭、硅碳负极用多孔碳技术产业化落地。深格碳源是浙江大学成果转化硬科技企业,聚焦新能源赛道高端碳材料研发、生产与销售,致力于破解国内高端超级电容炭
2026年第三季度末,台积电3nm、2nm制程及CoWoS先进封装产能持续供不应求。主要客户订单变动,以及前段与后段供应模式调整,促使AWS、MediaTek与TPU相关方转移产能。
2026年,主要智能手机SoC厂商开始将部分旗舰处理器转向2nm工艺,既为锁定足够产能,也为带来实质性升级。报道指出2nm产能紧张,可能使这些厂商在2027年前继续采用双节点策略,即同时使用不同制程节点。
China's leading DRAM maker, CXMT Corporation (CXMT), formerly known as ChangXin Memory Technologies, is reaping a windfa
存储厂商持续签订长期协议(LTA),2027年供需失衡预计加剧。十铨科技(Team Group)总经理Gerry Chen透露,模组厂商近期……
IC基板制造商Phoenix Pioneer Technology(PPt)受先进AI电源基板业务强劲势头推动,2026年上半年实现盈利。其产线处于满负荷运转状态,AI电源基板订单能见度已延伸至2027年第一季度。
英伟达与联发科深化长达20年的芯片合作关系。英伟达近期向联发科可转换债券投资35亿美元,双方合作范围扩展至定制AI芯片、AI PC、汽车及数据中心领域,引发市场关注。
碳化硅(SiC)产业正从6英寸晶圆制造转向8英寸,中国领先的衬底供应商因此对定价和客户选择采取更为自律的做法。此前6英寸阶段曾发生价格战。
Sigmaintell指出,2026年全球存储市场经历数月供应紧张与价格大幅上涨后,预计2027年供需缺口将显著收窄,原因是DRAM产能扩张以及需求格局变化;芯片增长预计在2029年遇到瓶颈。
西门子与德国B2B平台Sparepartsnow建立合作,使工业客户更容易获取西门子翻新自动化产品。合作通过Sparepartsnow的数字渠道进行。涉及公司为西门子与Sparepartsnow,地点为德国。该合作与元器件供应链中的翻新自动化产品流通渠道相关。
9月14日集邦咨询发布存储器行业调研报告,对NOR Flash市场作出预判。报告指出AI产业抢占大量晶圆产能,叠加各领域高端应用迭代升级,各大厂商NOR Flash位元产出增速持续放缓。基于当前市场格局,2026年下半年行业供需失衡局面仍将延续,整体合约价格将持续站稳高位,高容量规格产品价格有望翻倍上涨。
全球MLCC龙头厂村田制作所(Murata Manufacturing)因应AI服务器用积层陶瓷电容(MLCC)需求旺盛,表示将「大胆评估」扩增MLCC产能。原文未披露具体扩产金额、地点、时间表或产能数字。该动向与AI服务器带动被动元件供应链需求相关。