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DigiTimes原文发布 08-25 10:21Radar 收录 08-25 11:21查看原文 ↗

三星、SK海力士加大中国NAND产线升级力度,美国设备风险上升

Samsung, SK Hynix step up China NAND upgrades as US tool risks grow
中文摘要

三星电子和SK海力士计划在2027年前加大其中国NAND闪存工厂的设备支出,升级现有生产线,尽管未来获取西方芯片制造设备的风险增加。此举涉及两家公司在中国工厂的产能升级,与半导体供应链的设备供应和地缘政治风险相关。

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