GaN专利战升级!纳微半导体起诉瑞萨侵权!
中文摘要
纳微半导体于8月10日在美国德州东区联邦地区法院对瑞萨电子提起专利侵权反诉,指控瑞萨主要GaN产品线侵犯其四项核心技术专利。此前7月,瑞萨率先起诉纳微侵犯GaN商业机密。双方在一个月内互诉,凸显AI时代功率半导体知识产权争夺白热化。
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纳微半导体于8月10日在美国德州东区联邦地区法院对瑞萨电子提起专利侵权反诉,指控瑞萨主要GaN产品线侵犯其四项核心技术专利。此前7月,瑞萨率先起诉纳微侵犯GaN商业机密。双方在一个月内互诉,凸显AI时代功率半导体知识产权争夺白热化。
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