Sivers宣布与SemiNex开展340万美元的InP光源项目
Sivers宣布与SemiNex开展价值340万美元的项目，开发用于共封装光学（CPO）的高功率外部激光源、用于波分复用链路的高通道数DFB阵列，以及延长光传输距离的SOA增益级。该项目涉及InP光源，与光通信元器件的供应链相关。
原文深度解读
本文报道了瑞典Sivers Semiconductors与美国SemiNex公司于2026年8月14日宣布的一项价值约340万美元的合作项目，旨在开发用于AI数据中心互连的下一代磷化铟（InP）光源。项目涵盖共封装光学（CPO）的高功率外部激光源、波分复用链路的高通道数DFB阵列，以及扩展光传输距离的SOA增益级。文章与光通信元器件供应链相关，涉及InP激光器、DFB激光器和SOA等关键组件。
- Sivers Semiconductors和SemiNex宣布了一项项目，初始价值约340万美元。
- 项目目标包括用于共封装光学（CPO）的高功率外部激光源、用于波分复用链路的高通道数DFB阵列，以及随通道数扩展而延长光传输距离的SOA增益级。
- SemiNex是一家美国公司，开发高功率InP激光二极管、DFB激光器、半导体光放大器（SOA）和外腔激光器。
- Sivers Semiconductors首席执行官Vickram Vathulya表示，AI工厂中下一代光网络所需的高级光源与计算、内存和硅光子学元件同等重要。
- SemiNex首席执行官Ronald Moore表示，光学层正成为AI基础设施扩展的制约因素，行业需要更高功率、更多波长和更高效率，而这些增益来自InP本身的设计和加工。
- 文章提及Evertiq Expo Gothenburg将于9月17日举行，但未提供更多细节。
供应链影响
- 该项目的成功可能影响InP光源的供应链，取决于Sivers和SemiNex的研发进展及量产能力。
- 高功率外部激光源和DFB阵列的需求可能推动InP衬底和相关外延片供应商的订单增长，具体取决于项目能否按计划推进。
- SOA增益级的应用可能影响光放大器组件的供应链，但实际影响取决于技术成熟度和市场采用率。
- AI数据中心互连的需求增长可能带动光通信元器件供应链的调整，但具体影响取决于项目成果能否规模化生产。
- 项目合作可能加强Sivers与SemiNex在InP光源领域的供应链协同，但潜在影响取决于双方的技术整合和市场竞争力。
系统解读，仅作为判断线索，不构成备货、出货、涨价或投资建议。
© Sivers Semiconductor via LinkedIn
商业 | 2026年8月14日
Evertiq
该项目针对共封装光学（CPO）的高功率外部激光源、用于波分复用链路的高通道数DFB阵列，以及随通道数扩展而延长光传输距离的SOA增益级。
瑞典的Sivers Semiconductors和美国的SemiNex公司（一家开发高功率磷化铟（InP）激光二极管、DFB激光器、半导体光放大器（SOA）和外腔激光器的公司）宣布了一项用于AI数据中心互连的下一代InP光源项目。Sivers在新闻稿中表示，该项目初始价值约为340万美元。
该项目针对共封装光学（CPO）的高功率外部激光源、用于波分复用链路的高通道数DFB阵列，以及随通道数扩展而延长光传输距离的SOA增益级。
“AI工厂中下一代光网络所需的高级光源与计算、内存和硅光子学元件同等重要，”Sivers Semiconductors首席执行官Vickram Vathulya表示。“我们非常重视与SemiNex的合作，以结合创新技术，向市场大规模提供引人注目的光源解决方案。”
“光学层正成为AI基础设施扩展的制约因素。行业需要更高功率、更多波长和更高效率，而通过推动现有设备更努力地工作是无法实现这一目标的，”SemiNex首席执行官Ronald Moore表示。“这些增益来自InP本身的设计和加工，这正是我们两个团队合作的重点。”
从制造和设计到供应链和新兴技术，电子行业从未停滞不前。在即将举行的Evertiq Expo活动中，与推动行业前进的人们会面。下一站是9月17日的Evertiq Expo哥德堡站，行业专业人士将齐聚一堂，交流知识、发现新解决方案并建立宝贵的商业联系。
要了解最新动态，请订阅新闻通讯。
加载更多新闻
© Sivers Semiconductor via LinkedIn
Business | August 14, 2026
Evertiq
The program targets high-power external laser sources for co-packaged optics (CPO), high-channel-count DFB arrays for wavelength-multiplexed links, and SOA gain stages that extend optical reach as channel counts scale.
Sweden’s Sivers Semiconductors and SemiNex Corporation, a US-based developer of high-power indium phosphide (InP) laser diodes, DFB lasers, semiconductor optical amplifiers (SOAs) and external cavity lasers, have announced a program for next-generation InP light sources for AI data center interconnects. The program is initially valued at approximately USD 3.4 million, Sivers said in a press release.
The program targets high-power external laser sources for co-packaged optics (CPO), high-channel-count DFB arrays for wavelength-multiplexed links, and SOA gain stages that extend optical reach as channel counts scale.
“The advanced light sources needed for next-generation optical networking within AI factories are as crucial as the compute, memory and silicon photonics elements,” said Vickram Vathulya, Chief Executive Officer of Sivers Semiconductors. “We highly value our partnership with SemiNex to combine innovative technologies and deliver compelling light source solutions at scale to the market.”
“The optical layer is becoming the constraint on how far AI infrastructure can scale. The industry needs more power, at more wavelengths, at higher efficiency, and there is no way to get there by pushing today’s devices harder,” said Ronald Moore, Chief Executive Officer of SemiNex. “Those gains come out of the design and processing of the InP itself, and that is exactly where our two teams are working together.”
From manufacturing and design to supply chains and emerging technologies, the electronics industry never stands still. Meet the people driving it forward at the upcoming Evertiq Expo events. The next stop is Evertiq Expo Gothenburg on September 17, where industry professionals gather to exchange knowledge, discover new solutions and build valuable business connections.
To stay up to date with the latest developments, sign up for the Newsletter.
Load more news