美光探索近GPU NAND与紧密耦合DRAM,填补HBM与SSD性能间隙
中文摘要
9月1日,美光科技副总裁Mark Kiehlbauch在台湾国际半导体展存储高管峰会上表示,AI模型参数规模从约1亿扩张至100万亿,行业遭遇“内存墙”瓶颈。美光正探索近GPU NAND与紧密耦合DRAM两类新型存储架构,以填补AI存储层级间的性能缺口。
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9月1日,美光科技副总裁Mark Kiehlbauch在台湾国际半导体展存储高管峰会上表示,AI模型参数规模从约1亿扩张至100万亿,行业遭遇“内存墙”瓶颈。美光正探索近GPU NAND与紧密耦合DRAM两类新型存储架构,以填补AI存储层级间的性能缺口。
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