打破韩美三大厂垄断,长鑫存储 DRAM 市占首破 10%
中文摘要
韩国央行报告指出,三星电子与SK海力士加速扩建韩国国内生产设施,以应对中国长鑫存储的竞争。长鑫存储DRAM市占率首次突破10%,打破韩美三大厂垄断。此举影响DRAM供应格局,加剧市场竞争。
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韩国央行报告指出,三星电子与SK海力士加速扩建韩国国内生产设施,以应对中国长鑫存储的竞争。长鑫存储DRAM市占率首次突破10%,打破韩美三大厂垄断。此举影响DRAM供应格局,加剧市场竞争。
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