三星调整DRAM路线图，优先为D0a、HBM5采用B1b混合键合
Samsung reshuffles DRAM roadmap, prioritizing B1b hybrid bonding for D0a, HBM5
中文摘要
三星电子调整下一代DRAM路线图，将B1b晶圆对晶圆（W2W）混合键合技术从项目专用开发提升为优先事项，用于D0a与HBM5。该技术涉及DRAM晶圆堆叠与互连，与HBM等存储器件供应相关。
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