三星高管:明年HBM将占DRAM行业产能近三成
中文摘要
三星电子一名高管表示,随着人工智能计算需求持续增长,高带宽内存(HBM)明年预计将占动态随机存取存储器(DRAM)厂商总晶圆产能的近30%,高于目前约20%的比例。
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三星电子一名高管表示,随着人工智能计算需求持续增长,高带宽内存(HBM)明年预计将占动态随机存取存储器(DRAM)厂商总晶圆产能的近30%,高于目前约20%的比例。
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