SK hynix 因 HBM5 验证获台积电年度合作伙伴奖
SK hynix 获得台积电年度合作伙伴奖，原因是双方在下一代高带宽存储（HBM）验证方面的合作。这是 SK hynix 继去年之后连续第二年获奖。原文未披露 HBM5 验证的具体时间、地点、料号及量产安排。该奖项反映 HBM 供应方与晶圆代工厂在先进封装与验证环节的协作关系，与元器件供应链中 HBM 的产能与验证进度相关。
原文深度解读
本文报道 SK hynix 在台积电 2025 年 9 月 23 日于加州圣克拉拉举行的 Open Innovation Platform（OIP）大会上，凭借基于台积电 CoWoS 先进封装技术验证第八代 HBM（HBM5）而获得台积电年度合作伙伴奖，这是其连续第二年获奖。文章还提到 SK hynix 在 OIP 大会上展示面向 AI 基础设施的 HBM4、SOCAMM2、服务器 DRAM 模块及多款 SSD，并介绍其面向 PCIe 第六/七代的 chiplet 架构 SSD 方案。该内容与电子元器件供应链中 HBM 与晶圆代工先进封装协同验证、AI 存储器产品路线及服务器存储产品布局相关。
- SK hynix 于 9 月 28 日表示，其参加了 9 月 23 日在加州圣克拉拉举行的台积电 OIP 大会，并因基于台积电 CoWoS 先进封装技术验证第八代 HBM（HBM5）而获得年度合作伙伴奖，这是继去年之后连续第二年获奖。
- 原文称 CoWoS 是一种 2.5D 封装技术，将 HBM 与 GPU 等组件结合在硅中介层上，以构建高性能 AI 加速器；HBM 是 AI 加速器的关键存储组件，当前主要 AI 加速器采用 CoWoS 封装。
- 原文指出，先进封装技术需要从设计阶段就纳入，才能充分发挥 HBM 的存储带宽等能力；SK hynix 的封装开发团队从初始设计阶段就与台积电共同验证 HBM5。
- 台积电每年下半年举行 OIP 大会，汇集 OIP 参与方与主要客户交流技术趋势；SK hynix 自 2024 年起参加该大会。
- SK hynix 在展台展示了 36GB 12 层第六代 HBM（HBM4）产品和 96GB SOCAMM2，原文称这些产品将用于英伟达近期推出的 AI 基础设施 Vera Rubin；同时展示面向下一代 AI 服务器的 DRAM 产品，包括 256GB 3DS RDIMM、64GB RDIMM 和 128GB MRDIMM，其中 256GB 3DS RDIMM 使用 TSV 连接两个或更多 DRAM 芯片，64GB RDIMM 采用第六代 10 纳米级（1c）工艺，128GB MRDIMM 提供类似 HBM 的高带宽。
- 在 SSD 展示方面，SK hynix 展示了 PEB210 E1.S、PS1101 E3.S 和 PEB210 M.2，规格因客户需求而异；PEB210 E1.S 面向数据中心，PS1101 E3.S 是 SK hynix 首款基于 QLC 的企业级 SSD（eSSD）。
供应链影响
- HBM5 验证与台积电 CoWoS 先进封装深度绑定，可能意味着未来 HBM 供应节奏取决于晶圆代工先进封装产能与验证进度，而非仅取决于存储原厂自身产能。
- 原文提到先进封装需从设计阶段纳入，可能使 HBM 供应方与晶圆代工厂在早期设计阶段的协同成为影响 AI 加速器存储方案导入时间的因素之一。
- SK hynix 展示的 HBM4、SOCAMM2 及服务器 DRAM 产品与英伟达 Vera Rubin 等 AI 基础设施相关，可能影响 AI 服务器存储子系统的产品切换节奏，但具体量产与供货安排取决于原文未披露的客户认证与产能情况。
- SK hynix 展示多款面向数据中心与企业级的 SSD，并推进基于 chiplet 的 PCIe 第六/七代 SSD 方案，可能反映 AI 服务器存储供应链中控制器架构与接口代际演进对 SSD 供应格局的影响，但实际影响取决于客户采用与产品上市时间。
- SK hynix 连续第二年获得台积电合作伙伴奖，可能强化其在 HBM 与先进封装协同验证中的供应链位置，但该奖项本身不直接等同于产能分配或订单承诺。
系统解读，仅作为判断线索，不构成备货、出货、涨价或投资建议。
左起，SK hynix 封装产品团队负责人 Park Jin-woo 和先进封装研究负责人 Lee Jae-sik 于 9 月 23 日在加州圣克拉拉举行的台积电 Open Innovation Platform（OIP）大会上合影。（照片：SK hynix）
SK hynix 因在验证下一代高带宽存储（HBM）方面的合作而获得台积电年度合作伙伴奖。这是该公司继去年之后连续第二年获奖。
SK hynix 于 9 月 28 日表示，其参加了 9 月 23 日在加州圣克拉拉举行的台积电 Open Innovation Platform（OIP）大会。该公司因基于台积电先进 Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWoS）封装技术验证第八代 HBM（HBM5）而获得年度合作伙伴奖。CoWoS 是一种 2.5 维（2.5D）封装技术。它将 HBM 和图形处理单元（GPU）等组件结合在硅中介层上，以构建高性能人工智能（AI）加速器。
HBM 是 AI 加速器中的关键存储组件。目前主要 AI 加速器采用 CoWoS 封装。先进封装技术需要从设计阶段就纳入，才能充分发挥 HBM 的存储带宽等能力。SK hynix 的封装开发团队从初始设计阶段就与台积电共同验证 HBM5。
台积电每年下半年举行 OIP 大会。该活动汇集 OIP 参与方和主要客户，交流技术趋势。SK hynix 自 2024 年起参加 OIP 大会。
今年，SK hynix 在 OIP 大会上介绍了其 AI 存储技术的趋势。在其展台上，该公司展示了 36GB 12 层第六代 HBM（HBM4）产品和 96GB SOCAMM2。这些产品将用于英伟达近期推出的 AI 基础设施 Vera Rubin。
该公司还展示了面向下一代 AI 服务器的 DRAM 产品。其服务器 DRAM 模块包括 256GB 3DS RDIMM、64GB RDIMM 和 128GB MRDIMM。256GB 3DS RDIMM 是使用硅通孔（TSV）连接两个或更多 DRAM 芯片的三维（3D）存储器。64GB RDIMM 采用第六代 10 纳米级（1c）工艺。128GB MRDIMM 提供类似 HBM 的高带宽。
在其固态硬盘（SSD）展示区，SK hynix 还展示了 PEB210 E1.S、PS1101 E3.S 和 PEB210 M.2。规格因客户需求而异。PEB210 E1.S 面向数据中心设计。PS1101 E3.S 是 SK hynix 首款基于四级单元（QLC）的企业级 SSD（eSSD）。
SK hynix PCIe 设计团队负责人 Park Dae-sik 在题为“PCIe Solution for HPC/AI Storage”的演讲中介绍了目前正在开发的 AI 存储技术。该公司正在准备面向 PCIe 第六代和第七代的基于 chiplet 的 SSD 方案。该设计将传统单芯片控制器拆分为 chiplet，并通过 UCIe 接口连接。这可以实现更短的开发周期、代际过渡、容量扩展和功耗优化。
From left, Park Jin-woo, head of SK hynix’s Packaging Product Team, and Lee Jae-sik, head of Advanced Packaging Research, pose for a photo at TSMC’s Open Innovation Platform (OIP) Conference in Santa Clara, California, on Sept. 23. (Photo: SK hynix)
SK hynix won TSMC’s Partner of the Year award for its collaboration in validating next-generation high bandwidth memory (HBM). It marked the company’s second consecutive win following last year.
SK hynix said on Sept. 28 that it participated in TSMC’s Open Innovation Platform (OIP) Conference held in Santa Clara, California, on Sept. 23. The company received the Partner of the Year award for validating eighth-generation HBM (HBM5) based on TSMC’s advanced Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) packaging technology. CoWoS is a 2.5-dimensional (2.5D) packaging technology. It combines HBM and graphics processing units (GPUs), among other components, on a silicon interposer to create high-performance artificial intelligence (AI) accelerators.
HBM is a key memory component in AI accelerators. Major AI accelerators are currently packaged using CoWoS. Advanced packaging technology needs to be incorporated from the design stage to fully implement HBM’s memory bandwidth and other capabilities. SK hynix’s packaging development team validated HBM5 with TSMC from the initial design stage.
TSMC holds its OIP Conference in the second half of each year. The event brings together OIP participants and major customers to exchange technology trends. SK hynix has participated in the OIP Conference since 2024.
This year, SK hynix presented trends in its AI memory technologies at the OIP Conference. At its exhibition booth, the company displayed a 36GB 12-layer sixth-generation HBM (HBM4) product and 96GB SOCAMM2. The products will be used in Nvidia’s recently launched AI infrastructure, Vera Rubin.
The company also displayed DRAM products for next-generation AI servers. Its server DRAM modules included 256GB 3DS RDIMM, 64GB RDIMM and 128GB MRDIMM. The 256GB 3DS RDIMM is three-dimensional (3D) memory that connects two or more DRAM chips using through-silicon vias (TSVs). The 64GB RDIMM uses a sixth-generation 10-nanometer-class (1c) process. The 128GB MRDIMM offers high bandwidth similar to HBM.
At its solid-state drive (SSD) display, SK hynix also showcased the PEB210 E1.S, PS1101 E3.S and PEB210 M.2. Specifications vary depending on customer requirements. The PEB210 E1.S is designed for data centers. The PS1101 E3.S is SK hynix’s first quad-level cell (QLC)-based enterprise SSD (eSSD).
Park Dae-sik, head of SK hynix’s PCIe Design Team, introduced AI memory technologies currently under development in a presentation titled “PCIe Solution for HPC/AI Storage.” The company is preparing chiplet-based SSD solutions for PCIe 6th and 7th generations. The design separates a conventional single-chip controller into chiplets and connects them through the UCIe interface. This enables shorter development periods, generational transitions, capacity expansion and power optimization.