三星电子推出zHBM技术及V10 BV-NAND原型芯片，大幅提升存储密度
中文摘要
三星电子在加州圣克拉拉的FMS大会上推出V10 BV-NAND原型芯片，层数超400层，采用晶圆键合架构以提升存储密度和性能。同时展示业界首款zHBM和zNAND-O概念模型，通过垂直堆叠存储单元实现更高存储密度。
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三星电子在加州圣克拉拉的FMS大会上推出V10 BV-NAND原型芯片，层数超400层，采用晶圆键合架构以提升存储密度和性能。同时展示业界首款zHBM和zNAND-O概念模型，通过垂直堆叠存储单元实现更高存储密度。
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