美国陆军押注超高压 SiC，纳微半导体开发 10 kV IGBT
中文摘要
纳微半导体宣布获美国陆军选中参与 ALATTIS 计划，将开发 10 kV 超高压碳化矽（SiC）IGBT。美国政府正加速布局超高压 SiC 功率半导体。此为美国陆军押注超高压 SiC 的动作，涉及纳微半导体与美国陆军，产品为 10 kV IGBT，与功率半导体供应链相关。
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纳微半导体宣布获美国陆军选中参与 ALATTIS 计划，将开发 10 kV 超高压碳化矽（SiC）IGBT。美国政府正加速布局超高压 SiC 功率半导体。此为美国陆军押注超高压 SiC 的动作，涉及纳微半导体与美国陆军，产品为 10 kV IGBT，与功率半导体供应链相关。
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