三星电子下一代存储器“V-NAND·PIM”在FMS 2026上荣获两项大奖
三星电子在全球最大存储会议FMS 2026上获得两项大奖。该会议在美国圣克拉拉举行，三星的V-NAND和PIM技术获此殊荣。这体现了其下一代存储产品的技术实力，与元器件供应链中的存储产品相关。
原文深度解读
本文报道三星电子在2026年全球最大存储会议FMS（未来存储与内存大会）上获得两项大奖。会议在美国加州圣克拉拉举行，三星凭借V10 BV-NAND（3D与NAND创新奖）和LPDDR5X-PIM（下一代内存奖）获奖。V10 BV-NAND采用400+层堆叠和BV技术，密度较上代提升约58%；LPDDR5X-PIM是全球首款集成PIM技术的LPDDR5X产品。这些技术面向AI时代数据存储和高性能计算需求，与电子元器件供应链中的存储芯片设计、制造及下游应用密切相关。
- 三星电子在FMS 2026的Best of Show Awards中获得两项大奖，会议在加州圣克拉拉举行。
- V10 BV-NAND获得3D与NAND创新奖，采用400+层堆叠结构，应用BV（垂直键合）技术和3-stack结构。
- 与上代V9相比，V10 BV-NAND的存储密度提升约58%，并改善读写性能和能效。
- LPDDR5X-PIM获得下一代内存奖，是全球首款将PIM技术集成到LPDDR5X低功耗DRAM的产品。
- LPDDR5X-PIM在内存内直接计算，仅将结果发送至处理器，减少数据移动，提升性能和能效。
- 三星计划在FMS 2026（持续至当地时间6日）展示下一代存储路线图、AI内存解决方案和下一代存储技术。
供应链影响
- V10 BV-NAND的400+层堆叠和BV技术可能对晶圆键合设备、材料及先进封装供应链提出更高要求，相关供应商需求可能增加。
- 存储密度提升58%可能影响NAND闪存市场的供需格局，取决于三星量产进度和良率。
- LPDDR5X-PIM的推出可能推动AI加速器和HPC领域对PIM内存的需求，可能影响相关处理器和内存接口供应链。
- 三星在FMS展示的路线图可能影响存储行业技术标准，可能促使竞争对手调整研发方向，取决于市场接受度。
- 这些技术可能加速AI时代数据存储需求，可能带动服务器和存储系统供应链升级，但具体影响取决于商业化时间。
系统解读，仅作为判断线索，不构成备货、出货、涨价或投资建议。
三星电子在FMS 2026展台的视图。〈三星半导体全球新闻室〉
三星电子在全球最大的存储与内存会议“FMS 2026（未来存储与内存）”上获得两项大奖。
在加利福尼亚州圣克拉拉举行的FMS 2026“最佳展示奖”中，三星凭借其“V10 BV-NAND”获得“3D与NAND创新奖”，并凭借其“LPDDR5X-PIM”获得“下一代内存奖”。
V10 BV-NAND是一种下一代V-NAND技术，实现了超高的400+层堆叠结构。它应用了BV（垂直键合）技术，该技术垂直键合晶圆，以及一种3堆叠结构，将V-NAND单元连接成三层。与上一代（V9）相比，它将存储密度提高了约58%，并增强了读写性能和能效，使其成为应对AI时代爆炸性数据存储需求的核心技术。
LPDDR5X-PIM是全球首款将内存内处理（PIM）技术集成到LPDDR5X（一种低功耗DRAM）中的产品。它直接在内存内执行计算，仅将结果发送至处理器，从而最大限度地减少系统内的数据移动，同时提升性能和能效。预计它将在需要低功耗和高性能的领域得到高度应用，如AI加速器和高性能计算（HPC）。
三星电子计划在FMS 2026上展示其下一代存储路线图、AI内存解决方案和下一代存储技术，该会议将持续至当地时间6日。
View of Samsung Electronics' booth at FMS 2026. 〈Samsung Semiconductor Global Newsroom〉
Samsung Electronics has won two awards at the 'FMS 2026 (Future of Memory and Storage)', the world's largest memory and storage conference.
At the FMS 2026 'Best of Show Awards' held in Santa Clara, California, Samsung received the '3D & NAND Innovation Award' for its 'V10 BV-NAND' and the 'Next-Gen Memory Award' for its 'LPDDR5X-PIM'.
The V10 BV-NAND is a next-generation V-NAND technology that achieves an ultra-high 400+ layer stacking structure. It applies Bonding Vertical (BV) technology, which vertically bonds wafers, and a 3-stack structure that connects V-NAND cells in three layers. Compared to the previous generation (V9), it improves memory density by approximately 58% and enhances read/write performance and power efficiency, making it a core technology to address the explosive data storage demands of the AI era.
The LPDDR5X-PIM is the world's first product to integrate Processing-in-Memory (PIM) technology into LPDDR5X, a low-power DRAM. It performs computations directly within the memory and sends only the results to the processor, minimizing data movement within the system and simultaneously improving performance and power efficiency. It is expected to be highly utilized in fields requiring low power and high performance, such as AI accelerators and high-performance computing (HPC).
Samsung Electronics plans to showcase its next-generation memory roadmap, AI memory solutions, and next-generation storage technologies at FMS 2026, which runs until the 6th (local time).