中国科学院半导体所在 人工智能驱动GaN HEMT器件结构逆向设计研究方面取得新进展
中文摘要
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有高击穿电压、高功率密度和高频工作能力，在无线通信、射频功率器件及航空航天等领域具有重要应用。传统GaN HEMT结构设计主要依赖TCAD仿真和参数扫描，为获得满足特定截止频率和最大振荡频率要求
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氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有高击穿电压、高功率密度和高频工作能力，在无线通信、射频功率器件及航空航天等领域具有重要应用。传统GaN HEMT结构设计主要依赖TCAD仿真和参数扫描，为获得满足特定截止频率和最大振荡频率要求
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