台积电、三星将导入ASML High-NA EUV，光掩模尺寸拟从6英寸升级至12英寸

ASML已获多家头部芯片制造商对其High-NA EUV光刻设备的采用承诺。三星计划2028年用于大规模生产，台积电计划2030年导入，英特尔已采用。单台设备价格可达4亿美元。