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DigiTimes原文发布 08-25 10:53Radar 收录 08-25 18:06查看原文 ↗

台积电、英特尔和三星在2纳米以下制程的背面供电技术上一决高下

TSMC, Intel, and Samsung battle over backside power delivery below 2nm
中文摘要

先进半导体制造竞争进入2纳米以下节点,战场不再只是缩小晶体管,还扩展到芯片供电方式。台积电、英特尔和三星在背面供电技术上展开竞争,该技术将电源线移至晶圆背面,以改善功耗和性能。

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