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芯查查资讯原文发布 08-05 08:43Radar 收录 08-07 11:31查看原文 ↗

瑞萨电子推出的第三代MRDIMM将DDR5内存性能提升至16,000MT/s,赋能下一代AI与HPC应用

中文摘要

瑞萨电子宣布推出第三代DDR5多路复用双列直插内存模块(MRDIMM)芯片组解决方案,传输速率高达16,000MT/s,面向AI与HPC应用。

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