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科技新报 TechNews原文发布 08-28 07:00Radar 收录 08-28 14:06查看原文 ↗繁→简

SK 海力士美国首座 HBM 封装基地奠基,投资逾 40 亿美元预计 2029 年下半年量产

中文摘要

SK海力士宣布在美国印第安纳州西拉斐特举行其美国首座HBM封装基地的奠基仪式,投资逾40亿美元,预计2029年下半年量产。该基地将用于HBM芯片的封装,与公司现有存储芯片业务协同,强化其在AI存储市场的供应链地位。

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