从毫米到微米:三星zHBM掀开存储“Z轴战争”
中文摘要
三星发布CUBE战略,涉及HBM5、zHBM及zNAND-O等产品。HBM5性能目标为HBM4E的2倍,zHBM性能目标为8倍,热阻降低75%至90%,zNAND-O密度达DRAM十倍。核心为3D堆叠与2nm逻辑工艺,旨在与SK海力士及台积电联盟竞争。
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三星发布CUBE战略,涉及HBM5、zHBM及zNAND-O等产品。HBM5性能目标为HBM4E的2倍,zHBM性能目标为8倍,热阻降低75%至90%,zNAND-O密度达DRAM十倍。核心为3D堆叠与2nm逻辑工艺,旨在与SK海力士及台积电联盟竞争。
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