罗姆推出第二代太赫兹振荡芯片，输出功率提升至4倍

8月4日，日本半导体厂商罗姆（ROHM）宣布开发出第二代太赫兹波振荡芯片，采用共振穿隧二极管（RTD）构架，尺寸维持0.5毫米见方，最大振荡输出功率提升至40微瓦，约为第一代的4倍。