三星与SK海力士拟在2028年前后推进10纳米以下DRAM

三星电子与SK海力士计划于2028年将DRAM制程推进至10纳米以下，两家厂商在单元结构上走向不同技术路线：三星预计自0a世代起导入垂直通道晶体管（VCT），SK海力士开发垂直栅极（VG）设计，并斟酌在0a或0b世代导入。