日本Resonac成功开发300毫米SiC衬底
中文摘要
日本半导体材料企业Resonac Holdings宣布,已成为日本首家开发出300毫米碳化硅(SiC)衬底的公司。与当前主流衬底相比,这种大尺寸衬底理论上可使单片衬底的集成电路产量提高至约4倍。
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日本半导体材料企业Resonac Holdings宣布,已成为日本首家开发出300毫米碳化硅(SiC)衬底的公司。与当前主流衬底相比,这种大尺寸衬底理论上可使单片衬底的集成电路产量提高至约4倍。
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