中国存储加速追赶韩国！DRAM落后两年，NAND竟只差一年

韩国半导体产业协会（KSIA）近日量化中国在半导体技术上追赶西方的速度，指出中国本土NAND巨头与DRAM大厂正快速缩小技术差距，竞争力日益提升。韩、中两国在存储芯片领域的技术差距已缩小，其中HBM差距3年、DRAM差2年，NAND Flash仅差1年。