SK海力士1c DRAM产量份额年底前将达到34%，领先HBM4E
SK Hynix 1c DRAM production share to reach 34% by year-end ahead of HBM4E
中文摘要
SK海力士正加速向第六代10纳米级1c DRAM转型，预计该工艺到第四季度将占其DRAM产量的约34%，为HBM4E做准备。
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