台积电与ASML关注12英寸光掩模以释放High-NA EUV全视场潜力
TSMC, ASML eye 12-inch photomasks to unlock High-NA EUV's full-field potential
中文摘要
先进半导体制造正迈向2nm及埃米级节点（1nm等于10埃），并引入高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻。台积电（TSMC）与ASML关注12英寸光掩模，以释放High-NA EUV的全视场潜力。该动向与光掩模及光刻相关设备供应链相关。
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