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科技新报 TechNews原文发布 09-16 10:35Radar 收录 09-17 00:51查看原文 ↗繁→简

中国记忆体加速追赶!长鑫 DRAM 落后两年,长江 NAND 竟只差一年

中文摘要

韩国半导体产业协会(KSIA)量化中国半导体技术追赶速度,指出 NAND 巨头长江存储与 DRAM 厂长鑫存储的技术差距。KSIA 称长鑫存储 DRAM 落后两年,长江存储 NAND 仅落后一年。此为记忆体供应链技术与产能格局的评估数据。

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