三星在FMS 2026预览zHBM堆叠逻辑概念及400层键合NAND

三星电子在FMS 2026大会上展示了AI内存路线图，围绕3D架构，预览了zHBM和zNAND-O两个概念模型。zHBM采用堆叠在逻辑芯片上的设计，zNAND-O为400层键合NAND。这些概念展示了未来存储技术方向，与元器件供应链相关，可能影响未来存储产品供应。